【电子信息】基于光量子集成芯片,多光子非线性量子干涉首次实现(2023-01-17)
【摘要】 1月17日,电子工程世界讯,据科技日报报道,中国科学技术大学郭光灿院士团队任希锋研究组与国外同行合作,基于光量子集成芯片,在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的干涉。相关成果于1月13日发表在光学权威学术期刊《光学(Optica)》上。任希锋研究组长期致力于硅基光量子集成芯片开发及相关应用研究并取得系列重要进展,在前期工作基础上,研究组同德国马克斯普朗克光科学研究所 MarioKrenn 教授合作,通过进一步将多光子量子光源模块、滤波模块和延时模块等结构进一步片上级联,在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的相干相长、相消过程。而双光子符合并未观测到随相位的明显变化,这同理论预期一致。整个实验在一个尺寸仅为 3.8×0.8mm2 的硅基集成光子芯片上完成。据了解,该成果成功地将两光子非线性干涉过程扩展到多光子过程,为新型量子态制备、远程量子计量以及新的非局域多光子干涉效应观测等众多新应用奠定了基础。
【关键词】光量子,集成芯片,非线性
【电子信息】突破美方封锁,国产小芯片4纳米封装开始量产(2023-01-10)
【摘要】 1月10日,电子工程世界讯,用先进的封装技术连接功能不同的数个芯片以达到先进制程芯片功能的小芯片(又称晶粒)技术,被视为中国突破美国芯片科技禁运的快捷方式。长电科技开发的先进封装技术已开始为国际客户进行芯片封装量产。面对西方国家对中国进行包括极紫外(EUV)光刻机在内的半导体设备禁运,以小芯片等先进封装技术将成熟制程的芯片组合连结后达到先进制程芯片功能的技术,成为中国突破美方科技禁运的重要路线之一,很快获得明显进展。报道说,长电科技宣布,该公司开发的XDFOI小芯片高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段,同步实现国际客户4纳米节点多芯片系统集成封装产品出货,最大封装体面积约为1500平方毫米的系统级封装。据了解,长电科技将充分发挥这一工艺的技术优势,在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域应用,向下游客户提供外形更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案。
【关键词】小芯片,4纳米,长电科技
【电子信息】中科院微电子所在CAA新结构的3D DRAM研究取得进展(2023-01-10)
【摘要】 1月10日,集微网讯,基于铟镓锌氧(IGZO)晶体管的2T0C-DRAM有望突破1T1C-DRAM的微缩瓶颈。针对平面结构IGZO-DRAM的密度问题,中科院微电子所微电子重点实验室刘明院士团队在垂直环形沟道结构IGZO FET 的基础上,研究第二层器件堆叠前层间介质层工艺的影响,验证了CAA IGZO FET在2T0C DARM应用中的可靠性。中科院微电子研究所消息,经过优化后的IGZO FET表现出优秀的可靠性,经过10000秒栅极偏压应力稳定性测试后(包括正偏压与负偏压条件),阈值电压漂移小于25mV,进行1012次写入擦除操作后没有表现出性能劣化。该研究成果有助于推动实现4F2 IGZO 2T0C-DRAM单元。基于该成果的文章入选2022 IEDM。
【关键词】中科院,CAA结构,DRAM研究
【电子信息】激光退火仪在国内首条量子芯片生产线上投入使用(2023-01-04)
【摘要】 1月4日,电子工程世界讯,从安徽省量子计算工程研究中心获悉,国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS—100激光退火仪已研制成功,可解决量子芯片位数增加时的工艺不稳定因素,像“手术刀”一样精准剔除量子芯片中的“瑕疵”,增强量子芯片在向多比特扩展时的性能,从而进一步提升量子芯片的良品率。据了解,该激光退火仪由合肥本源量子计算科技有限责任公司(以下简称本源量子)完全自主研发,可达到百纳米级超高定位精度,对量子芯片中单个量子比特进行局域激光退火,从而定向控制修饰量子比特的频率参数,解决多比特扩展中比特频率拥挤的问题,助力量子芯片向多位数扩展。
【关键词】激光退火仪,量子芯片,生产线
【电子信息】盛美上海首台前道ArF工艺涂胶显影设备Ultra LITH顺利出机(2022-12-29)
【摘要】 12月29日,集微网讯,近日,盛美上海首台具有自主知识产权的涂胶显影Track设备Ultra LITH成功出机,顺利向中国国内客户交付首台前道ArF工艺涂胶显影Track设备。今年11月,盛美上海推出涂胶显影Track设备,正式进军涂胶显影Track市场。当时消息称,该设备是一款应用于300毫米晶圆工艺的设备,可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手处理以及强大的软件系统,从而满足客户特定需求;该设备功能多样,能够降低产品缺陷率,提高产能,节约总体拥有成本(COO);该设备还将支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺,同时让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。此外,盛美上海将于2023年推出i-line型号设备,并且公司已开始着手研发KrF型号设备。
【关键词】盛美上海,ArF工艺,设备出机
【电子信息】中国首个原生Chiplet技术标准发布(2022-12-23)
【摘要】 12月23日,SEMI大半导体产业网讯,据证券时报报道,在近日举办的“第二届中国互连技术与产业大会”上,首个由中国集成电路领域相关企业和专家共同主导制定的《小芯片接口总线技术要求》团体标准,正式通过工信部中国电子工业标准化技术协会的审定并发布。这是中国首个原生Chiplet技术标准,对于中国集成电路产业延续“摩尔定律”,突破先进制程工艺限制具有重要意义。近些年,美国政府对中国半导体的制裁步步升级,中国半导体产业逐渐意识到,产业链上下游的任何一环,如果不能实现自主可控,都存在被制裁的风险,Plan B势在必行。因此,Chiplet作为后摩尔时代的热门技术之一,即便是已经有了像UCIe这样的产业联盟,不少业内人士依然认为我们需要一套属于自己的Chiplet技术标准。
【关键词】Chiplet,技术标准,摩尔定律
【电子信息】中国电科48所第三代半导体装备项目获国家科技部立项(2022-12-15)
【摘要】 12月15日,集微网讯,近日,中国电科48所第三代半导体装备研发取得重大突破,牵头申报的“大尺寸超高真空分子束外延技术与装备”项目,获得国家科技部“高性能制造技术与重大装备”重点专项立项。分子束外延(MBE)装备是先进材料与芯片制造的核心“母机”。48所立足国家所需、行业所趋、电科所能,聚焦离子束、分子束、电子束“三束”技术,不断推动半导体装备核心技术研发与产业化,相继开发了单片4吋、6吋机型并实现应用,为研制大尺寸MBE装备打下了坚实技术基础。该项目将由48所联合国内高校、研究所及专业公司协同攻关,利用48所的技术优势,充分发挥国家第三代半导体技术创新中心(湖南)平台作用,奋力突破一批关键核心技术与工艺难题,为实现我国MBE技术和装备的跨越式发展提供有力支撑。
【关键词】中国电科,半导体装备,国家立项
【电子信息】SK海力士开发出业界最快的服务器内存模组MCR DIMM(2022-12-08)
【摘要】 12月8日,SEMI大半导体产业网讯,SK海力士今日宣布成功开发出DDR5多路合并阵列双列直插内存模组(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*样品,这是目前业界最快的服务器DRAM产品。该产品的最低数据传输速率也高达8Gbps,较之目前DDR5产品4.8Gbps提高了80%以上。该MCR DIMM产品采用了全新的方法来以提高DDR5的传输速度。虽然普遍认为DDR5的运行速度取决于单个DRAM芯片的速度,但SK海力士工程师在开发该产品时另辟蹊径,提高了模块的速度而非单个DRAM芯片的速度。SK海力士技术团队在设计产品时,以英特尔MCR技术为基础,利用安装在MCR DIMM上的数据缓冲器(data buffer)*同时运行两个内存列。传统DRAM模块每次只能向CPU传输64个字节的数据,而在MCR DIMM模块中,两个内存列同时运行可向CPU传输128个字节的数据。每次传输到CPU的数据量的增加使得数据传输速度提高到8Gbps以上,是单个DRAM的两倍。该产品的成功开发得益于与英特尔、瑞萨电子的合作。三家公司在从开发到速度和性能验证的各个阶段都进行了紧密的合作。
【关键词】SK海力士,服务器,内存模组
【电子信息】中国科大等联合团队实现谷光子的长距离保真传输与定向分发(2022-11-23)
【摘要】 11月23日,集微网讯,近日,由中国科学技术大学教授陈杨、华中科技大学教授陆培祥与新加坡国立大学讲席教授仇成伟组成的联合团队首次实现基于混合纳米波导的WS2谷光子的长距离保真传输与定向分发。该成果发表于《自然·纳米技术》。研究中,陈杨等人设计并制备了一种以金—二硫化钨—二氧化硅—二氧化钛材料为基础的混合波导材料,为能谷信息的后处理奠定了基础;还构建了一种单入双出的谷光子路由器,实现能谷信息的定向选择性分发。在此基础上,科研人员进一步实现能谷信息在三端口环行器中的单向传输。科技日报消息显示,仇成伟看来,谷电子器件应用前景广阔,是未来新型电子器件的重要类型。基于谷电子的集成光子器件已经在一些领域投入了应用。此外,谷电子器件也可能被用于量子计算、存储、通信等领域。
【关键词】中国科大,谷光子,保真传输
【电子信息】铒原子首次集成到硅晶体内,有望成为未来量子网络的理想元件(2022-11-10)
【摘要】 11月10日,电子工程世界讯,德国科学家首次将拥有特殊光学特性的铒原子集成到硅晶体内,这些原子可通过通信领域常用的光连接起来,使其成为未来量子网络的理想构建块。最新实验结果在没有复杂冷却的条件下获得,且基于现有硅半导体生产工艺,因此适用于构建大型量子网络。相关研究刊发于最新一期《物理评论X》杂志。最新技术依赖于在特定条件下注入硅晶格的铒原子。研究表明,铒具有良好的光学性能,其原子发射出的红外光波长约为1550纳米,位于光纤电缆中传输数据的光谱范围,且铒在光导纤维中传播时损耗较低。此外,铒发出的光具有极好的相干性,这是实现量子信息存储和传输的先决条件。这些特性使铒成为实现量子计算机或在量子网络中用作信息载体的首选。
【关键词】铒原子,硅晶体,量子网络
【电子信息】上海技物所等在半导体异质结隧穿电子调控机制研究中取得进展(2022-11-07)
【摘要】 11月7日,集微网讯,中国科学院上海技术物理研究所红外科学与技术重点实验室胡伟达、苗金水团队,与美国宾夕法尼亚大学德普·贾瑞拉教授合作,通过耦合局域场调控二维原子晶体能带,实现硒族半导体/硅半导体异质结隧穿电子的有效操控,为混合维度异质结构在高性能电子与光电子器件研制方面奠定理论与实验基础。中科院消息显示,上海技物所团队利用二维原子晶体无表面悬挂键以及能带结构易受局域场调控的物理特性,探讨了二维硒族原子晶体与硅半导体异质结中隧穿电子在栅极电压与漏极电压协同调控下的输运行为。通过电容耦合的局域电场操控半导体异质结的能带结构,科研人员实现电子band-to-band隧穿效率的有效操控,并观测到负微分电导与齐纳击穿现象。基于二维/三维异质结构的器件,该研究实现6.4mV/decade的极低亚阈值摆幅以及高的电流开关比(106)。
【关键词】上海,半导体,电子调控
【电子信息】华为公布“超导量子芯片”专利(2022-11-04)
【摘要】 11月4日,电子工程世界讯,11月1日,华为技术有限公司“超导量子芯片”专利公布,公布号为CN115271077A。专利摘要显示,本发明实施例公开了一种超导量子芯片,包括耦合器和控制器。其中耦合器用于耦合第一超导比特电路和第二超导比特电路,耦合器的频率响应曲线包括至少一个相位反转点,所述相位反转点包括频率响应曲线的谐振点或极点;控制器用于调整所述耦合器的频率响应曲线,使得所述第一超导比特电路的比特频率和第二超导比特电路的比特频率之间包含奇数个所述相位反转点;并进一步调整所述相位反转点的频率,使得所述第一超导比特电路和第二超导比特电路的交叉共振效应的等效相互作用为零。本发明实施例降低了量子比特之间的串扰。
【关键词】华为,超导量子,芯片专利
【电子信息】深圳大学团队在钙钛矿蓝光LED领域取得新进展(2022-10-25)
【摘要】 10月25日,集微网讯,近日,深圳大学物理与光电工程学院黄浦助理教授、贺廷超教授、李贵君助理教授联合团队在钙钛矿蓝光LED研究方面取得突破。该研究工作获得广东省自然科学基金,国家重点研发计划,深圳市孔雀团队、基础学科布局,粤港澳联合基金等项目支持。深大科研消息称,该研究首次提出组合钙钛矿中的双极化跃迁通道增强蓝光跃迁的新思想,并通过应变工程实现破纪录的钙钛矿蓝光发射。研究不仅为钙钛矿蓝光LED的产业化应用迈出重要一步,更为以实际应用为目标导向的材料设计和器件研究提供了一条标准范式。相关成果发表在Science旗下期刊《Science Advances》,深圳大学为第一单位,黄浦、贺廷超、李贵君为论文通讯作者,博士后研究员刘宝星为论文第一作者。研究成果进一步推动钙钛矿蓝光LED实现产业化应用。
【关键词】深圳大学,钙钛矿,蓝光LED
【电子信息】中国科大在集成光子芯片上实现人工合成非线性效应(2022-10-24)
【摘要】 10月24日,集微网讯,合肥科技消息显示,中国科学技术大学郭光灿院士团队在集成光子芯片量子器件的研究中取得重要进展。该团队邹长铃、李明研究组提出人工合成光学非线性过程的通用方法,在集成芯片微腔中实验观测到高效率的合成高阶非线性过程,并展示了其在跨波段量子纠缠光源中的应用潜力。相关成果于10月20日在线发表于国际学术期刊《自然·通讯》上。该团队将人工合成的四阶非线性应用于产生跨可见-通信波段的量子纠缠光源。通过测量跨波段光子间的时间-能量纠缠验证了人工合成过程的相干性。相比于传统跨波段量子纠缠光源的产生方法,该工作极大降低了相位匹配的困难,并且仅需要通信波段单一泵浦激光,展现了人工合成非线性过程的优势和应用潜力。
【关键词】中国科大,光子芯片,线性效应
【电子信息】中国信通院牵头的国际首个5G 终端空口性能标准正式发布(2022-10-21)
【摘要】 10月21日,C114网讯,近日,中国信息通信研究院(以下简称“中国信通院”)主导的《NR用户设备多输入多输出(MIMO)空口(OTA)性能要求》国际标准项目在2022年9月的3GPP RAN#97次全会上获批结项。在此基础上,国际标准TS38.151正式发布,这标志着5G终端空口性能要求标准正式落地,业界在5G终端整机测试标准化领域取得了突破性成果。5G终端空口性能测试是目前移动通信性能测试中主流的通过整机方式评估终端发射与接收性能的测试项目,其指标直接影响网络的稳定连接、终端产品设计、网络数据容量以及用户使用体验。因此,基于空口的5G终端MIMO标准具有重要意义。
【关键词】中国信通院,5G终端,性能标准
【电子信息】SK海力士业界首推基于CXL的存算一体计算存储器解决方案CMS(2022-10-19)
【摘要】 10月19日,集微网讯,继今年8月推出公司首款CXL存储器样品后,SK海力士此次成功开发行业首款将计算功能与CXL存储器相结合的CMS(Computational Memory Solution)。
该解决方案拟搭载于下一代服务器平台上,有望提升系统性能和能源效率。美国时间10月18日,SK海力士在美国圣何塞召开的OCP(Open Compute Project)全球峰会上同时公开CMS及应用该方案的软件平台,进而证明了面向下一代高性能计算机解决方案及客户观点的价值。SK海力士存储器系统研究担当副社长朴暻在透露未来研发计划的同时表示:“CXL是存储器产业迎来的全新机遇。通过计算功能的内在化,在特定计算上CMS解决方案展现出了比采用数十个CPU内核快出数倍的运行速度。此次成果是试制品,其性能今后还会进一步得到改善,因此除了大数据应用之外,我们还考虑搭载适用于其它应用的计算功能。”
【关键词】SK海力士,存算一体,解决方案
【电子信息】晶科能源:182N型高效单晶硅电池全面积转化效率达到26.1%(2022-10-14)
【摘要】 10月14日,SEMI大半导体产业网讯,晶科能源10月13日晚间公告,全资子公司浙江晶科能源有限公司自主研发的 182N 型高效单晶硅电池(TOPCon)转化效率经中国计量科学院第三方测试认证,全面积电池转化效率达到 26.1%,再次创造了 182 及以上尺寸大面积 N 型单晶钝化接触(TOPCon)电池转化效率新的纪录。公司研究院率先开发出界面缺陷修复、高透多晶硅膜以及激光选择性发射极技术(SE)基础的超细金属电极等多项适用于大尺寸的先进技术,以及自主开发的成套 HOT 高效电池工艺技术等多项创新及材料优化,达到了 26.1%的转换效率,再次实现 N 型 TOPCon 电池转化效率的重大突破。
【关键词】晶科能源,单晶硅,转化效率
【电子信息】英伟达BioNeMo框架将大型语言模型扩展到生物学领域(2022-09-21)
【摘要】 9月21日,集微网讯,科学家们致力于探索DNA、蛋白质和其他生命体的“基础构建”,以期获得全新的洞察,而美国当地时间20日在NVIDIA GTC上发布的NVIDIA BioNeMo框架将为其研究提供加速。NVIDIA BioNeMo框架用于训练和部署超算规模的大型生物分子语言模型,帮助科学家更好地了解疾病,并为患者找到治疗方法。该大型语言模型(LLM)框架将支持化学、蛋白质、DNA和RNA数据格式。NVIDIA BioNeMo是NVIDIA Clara Discovery药物研发框架、应用和AI模型集的一部分。正如AI通过LLM来学习如何理解人类语言,该框架也在学习生物学和化学语言。NVIDIA BioNeMo使基于生物分子数据的大规模神经网络训练更为轻松,助力研究人员发现生物序列中的新模式并获得新洞察。研究人员可将这些洞察与生物特性或功能乃至人类健康状况联系起来。NVIDIA BioNeMo框架使科学家能够使用更大的数据集来训练大规模语言模型,打造出性能更强大的神经网络。NVIDIA的GPU优化软件中心——NVIDIA GPU Cloud上将提供该框架的抢先体验。除语言模型框架之外,NVIDIA BioNeMo还提供一项云API服务,该服务将支持越来越多的预训练AI模型。
【关键词】英伟达,语言模型,AI训练
【电子信息】全球首次跨厂商WiFi 7技术成功演示,由英特尔、博通共同实现(2022-09-16)
【摘要】 9月16日,集微网讯,近日,英特尔和博通进行了业内首次跨厂商的WiFi 7演示,其6GHz频段下无线传输速度超过5Gbps(每秒5GB)。此次试验采用了搭载英特尔酷睿处理器和WiFi 7无线方案的笔记本电脑,并连接至博通 WiFi 7接入点。作为对比,Wi-Fi 6E 6GHz频段速度最高只有2.5Gbps,Wi-Fi 6E 5GHz频段更是只能跑到1Gbps,Wi-Fi 7分别是它们的2倍、5倍。即便现阶段全球WiFi 7技术规范尚未落定,但业界普遍看好后续市场将极具爆发力。Wi-Fi联盟预测Wi-Fi 7最早将于2023年开始使用。据悉,作为满足未来十年无线体验的承载平台,Wi-Fi 7需要满足更高的速度、更低的时延、提升的可靠性和更大的容量。Wi-Fi 7的确定性操作支持新型产品类别,包括增强现实和虚拟现实、16K超高清分辨率媒体流、具有超快响应且可靠的游戏体验,以及在家或办公室中支持大量设备联网。
【关键词】跨厂商WiFi7,技术演示,英特尔
【电子信息】南京大学科研团队首次获得纳米级光雕刻三维结构(2022-09-15)
【摘要】 9月15日,C114网讯,9月14日,国际学术期刊《自然》发表我国科学家在下一代光电芯片制造领域的重大突破。南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队,发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术,将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部,通过控制激光移动的方向,在晶体内部形成有效电场,实现三维结构的直写和擦除。据悉,该技术突破传统飞秒激光的光衍射极限,把光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸,从传统的1微米量级(相当于头发丝的五十分之一),首次缩小到纳米级,达到30纳米,大大提高加工精度。科技日报消息显示,这发明未来或可开辟光电芯片制造新赛道,有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电存储器等关键光电器件芯片制备,在5G/6G通讯、光计算、人工智能等领域有广泛的应用前景。
【关键词】南京大学,光雕刻,三维结构