【摘要】 12月5日，爱集微讯，天眼查显示，宁德时代新能源科技股份有限公司近日取得一项名为“一种电池包及其用电装置”的专利，授权公告号为CN118120085B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2022年6月17日。该专利涉及一种电池包，包括至少第一类电池单体和第二类电池单体，电池包分为A区域和B区域，A区域为保温能力较差的区域，位于电池包的四周和/或底部，剩余区域为B区域。A区域所包含的电池单体中第一电池单体的数量占比为10％至100％，B区域所包含的电池单体中第二电池单体的数量占比为5％至100％。
【关键词】电池包，专利授权，宁德时代
【摘要】 12月5日，爱集微讯，芯河半导体科技（无锡）有限公司近日获得一项名为“一种macsec速率和端口混合的验证模型的实现方法”的专利，授权公告号为CN116094975B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2023年2月6日。该专利提出了一种验证模型的实现方法，通过配置获取端口对应速率，为不同端口配置不同速率和不同的macsec加密算法的加密秘钥长度，可实现对多种速率和端口的macsec算法的验证，节省仿真时间，提高仿真效率和准确率。
【关键词】芯河半导体，专利，验证模型
【摘要】 11月26日，爱集微讯，11月25日，上海芯上微装科技股份有限公司宣布自主研发的首台350nm步进光刻机AST6200正式完成出厂调试与验收并发往客户现场。该设备专为功率、射频、光电子及Micro LED等先进制造场景设计，具备高分辨率成像（350nm）、高精度套刻（正面80nm，背面500nm）、高产率设计及强工艺适应性等特点。AST6200搭载全自主可控软件系统，支持多种材质基片和复杂制程需求。芯上微装成立于2025年02月，专注于高端半导体装备研发，主力产品包括晶圆级先进封装光刻机、激光退火设备和前道晶圆缺陷检测设备。
【关键词】国产设备，光刻机，半导体
【摘要】 11月25日，爱集微讯，京东方科技集团股份有限公司近日取得一项名为“一种扫描驱动电路、显示面板及其驱动方法、显示装置”的专利，授权公告号为CN119339671B，授权公告日为2025年10月14日，申请日为2023年7月18日。该专利涉及扫描驱动电路的设计，包括驱动信号生成模块及信号输出控制模块，通过控制信号输出实现同一帧内分行分频显示，从而降低功耗。技术方案具体描述了模块间的耦接关系及信号传递逻辑，强调了其在显示装置中的应用价值。
【关键词】京东方，扫描驱动，专利授权
【摘要】 10月29日，爱集微讯，地平线与全球汽车零部件巨头采埃孚联合推出城市领航coPILOT辅助驾驶系统，该系统基于采埃孚“采睿星”计算平台和地平线征程6P芯片打造，算力高达560 TOPS，支持端到端、VLA、VLM等辅助驾驶大模型高效落地。该系统已获得国内自主品牌车型定点，计划于2026年量产交付。coPILOT系统覆盖高速、城区、自动泊车等全场景功能，最高算力可达1000+TOPS，运算能力行业领先。地平线征程6系列芯片已累计量产突破1000万套，成为国内首个千万级量产智驾品牌，并与超20家车企达成合作，2025年将赋能超100款辅助驾驶车型量产。
【关键词】辅助驾驶，地平线，采埃孚，，
【摘要】 10月24日，爱集微讯，谷歌在其“Willow”量子计算芯片上运行了一种名为“量子回声”（Quantum Echoes）的可验证算法，其速度比世界上最好的超级计算机快13000倍。该算法可在不同量子计算平台上重复运行，标志着量子技术向实际应用迈出重要一步。谷歌表示，这一突破为未来五年内量子计算在医学、材料科学（如药物研发和电池设计）等领域的应用铺平了道路。科学家还在一篇未经过同行评审的论文中展示了该算法在研究分子结构方面的潜力，但实现商业化仍需将量子计算机规模扩大1万倍。谷歌团队计划通过提升量子计算机的规模和精度，继续推动技术落地。谷歌的量子计算突破展现了该领域从理论验证向实际应用过渡的潜力，尤其在算法可验证性方面取得了显著进展。
【关键词】谷歌，量子计算，Willow芯片
【摘要】 10月23日，爱集微讯，集创北方推出首款12纳米AI-PQ画质增强独显芯片，聚焦移动终端用户对高画质、高帧率、低功耗的需求。该芯片搭载MEMC帧率插帧模块与AISR画质超分模块，支持将30fps/60fps画面提升至165fps高帧率，同时通过AI算法优化低分辨率画面至2K超清规格，解决传统技术中的锯齿边缘和断线模糊问题。芯片已应用于国内头部移动终端品牌的旗舰产品中，显著提升画质流畅度和能耗比。此外，其AI-LCE技术可智能优化明暗区域过渡效果，保留暗部细节并抑制高光过曝。集创北方表示，未来将围绕AR/VR、智能终端等场景深化合作，推动国产显示芯片技术落地。
【关键词】AI画质，独显芯片，国产替代
【摘要】 10月14日，中国科学院半导体研究所讯，中国科学院半导体研究所陈思铭研究员团队联合多家单位，在高速光通信量子点锁模光频梳研究中取得突破。团队通过创新的半导体量子点材料共掺杂技术与碰撞脉冲锁模方案，成功研制出可在高达140°C极端温度下稳定工作的100 GHz量子点光频梳激光器。该器件在室温（25°C）下实现14.312 nm的3dB光学带宽，产生26个信道，每个信道可承载128 Gb/s的PAM-4调制信号，总传输容量达2.816 Tb/s。在85°C高温下，器件仍保持22个信道稳定工作，能耗低至0.532 pJ/bit，并通过1500小时加速老化实验验证其平均无故障时间（MTTF）长达207年。该成果为下一代数据中心和人工智能算力集群的光互连系统提供了高性能光源解决方案，相关论文发表于《激光与光子学评论》。
【关键词】光频梳，量子点，高速光通信
【摘要】 9月24日，爱集微讯，国产x86处理器龙头企业兆芯宣布，其超6000台医用台式机成功中标某总医院通用PC采购项目，标志着国产处理器在医疗行业实现重大突破。医疗行业信息化转型对底层算力平台要求严格，既要性能强，还需兼容性和易用性。目前，医疗核心系统中Oracle、SQL Server占比超80%，国产数据库渗透率不足15%，数据迁移面临兼容性和实时性挑战。兆芯凭借x86生态兼容性和高性能，成为主流选择，其产品覆盖AIPC、服务器等，支持Windows及国产操作系统，适配超20万个软硬件项目。兆芯还推出“无感迁移”方案，助力医院构建国产化信息系统。
【关键词】兆芯，医疗信息化，国产处理器
【摘要】 9月5日，C114讯，微软支持的Lumenisity研究团队研制出一种新型空芯光纤，在1550纳米波长下实现0.091dB/km的信号衰减，打破传统石英光纤0.14dB/km的理论极限。该成果发表于《自然·光子学》，被誉为“过去40年波导技术领域最值得关注的进展之一”。空芯光纤以空气为传输介质，光速接近真空，延迟更低且非线性效应更少。研究团队采用双层嵌套反谐振无节点光纤（DNANF）结构，通过多层玻璃管反射光信号，抑制损耗。测试显示，15公里光纤的衰减稳定低于0.1dB/km，且在66THz宽光谱范围内损耗低于0.2dB/km。微软计划未来两年在Azure全球网络部署1.5万公里空芯光纤，支持AI和高性能计算需求。
【关键词】空芯光纤，信号损耗，微软
【摘要】 9月1日，地平线HorizonRobotics讯，中国智能驾驶科技企业地平线宣布，其征程系列车载智能芯片累计量产出货突破1000万套，成为国内首家达成千万级出货量的智能驾驶芯片企业。8月29日，地平线在成都国际车展举办“千万量产见证仪式”，并发布未来3-5年HSD（地平线软硬结合全栈辅助驾驶系统）量产目标。征程芯片已赋能超400款车型，覆盖全球40余家车企，市场渗透率达“每三台智能汽车就有一台搭载地平线”。征程6系列基于自研BPU纳什架构开发，覆盖10-560TOPS算力，支持从L2到全场景城区辅助驾驶需求。其中，征程6B已成功点亮并获博世定点，计划2026年量产；征程6E/M获20余家车企定点，年内将赋能超15款新车；旗舰版征程6P（560TOPS）首搭星途ET5，将于11月上市。地平线同步启动HSD城区辅助驾驶系统量产计划，目标未来3-5年实现千万级装车。
【关键词】地平线，征程芯片，智能驾驶
【摘要】 8月19日，九峰山实验室讯，九峰山实验室在磷化铟（InP）材料领域取得重大技术突破，成功开发出6英寸InP基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。这是国内首次在大尺寸InP材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用。FP激光器量子阱PL发光波长片内标准差<1.5nm，组分与厚度均匀性<1.5%；PIN探测器材料本底浓度<4×101?cm?3，迁移率>11000 cm2/V·s。该技术有望将国产光芯片成本降至3英寸工艺的60%-70%，助力国产光通信、激光雷达等领域的竞争力提升。九峰山实验室的突破标志着中国在高端半导体材料领域迈出关键一步，打破了国际巨头对大尺寸InP工艺的垄断。从衬底到外延的全链路国产化，不仅降低了成本，更增强了产业链的自主可控性。
【关键词】磷化铟，外延工艺，国产化
【摘要】 8月19日，爱集微讯，华大九天推出国内唯一可支撑超大规模Flash/DRAM量产的存储芯片全流程EDA解决方案，实现设计-验证-量产一站式服务。2024年全球存储市场规模达1670亿美元（NAND Flash 696亿美元，DRAM 973亿美元），WSTS预测2025年将增至2043亿美元，占半导体市场30%。该方案突破传统设计模式对海量阵列和复杂信号处理的瓶颈，在全定制设计平台和物理验证环节实现技术创新，保障超大规模存储芯片流片可靠性，打破国外垄断。华大九天的突破填补了国产EDA工具在存储芯片领域的空白，标志着中国在半导体核心工具链的自主可控迈出关键一步。存储芯片占全球半导体市场近三分之一份额，其设计工具长期被海外巨头垄断，此次突破对保障产业链安全意义重大。
【关键词】华大九天，EDA，存储芯片
【摘要】 8月6日，中国科大微电子学院讯，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授课题组受两栖生物启发，研发出一种无需封装、可在水下和陆地稳定工作的水陆两用自供电紫外光电化学传感器。该传感器基于水凝胶/铟镓氮纳米线异质结构，在280-420 nm紫外波段表现出高选择性检测能力，响应率达130.7 mA/W，响应速度小于10毫秒。研究团队进一步构建了全天候滨水环境紫外监测系统，可实时监测不同天气条件下的紫外强度，并发现阴天仍存在显著紫外辐射（超过1 mW/cm2）。相关成果发表于《ACS Nano》并入选封面论文，为复杂环境下的可穿戴光电传感提供了新思路。这项研究将仿生学与光电技术深度融合，解决了传统传感器在湿润环境中性能下降的难题。通过铟镓氮纳米线和水凝胶的创新设计，实现了无需封装的高稳定性两栖检测，显著提升了可穿戴设备的实用性和环境适应性。其全天候监测系统不仅具有科学价值，更在健康防护（如紫外线预警）领域展现出直接应用潜力。未来若能进一步优化成本并推动产业化，或将在海洋监测、户外运动装备等领域开辟新市场。
【关键词】紫外传感，水陆两栖，可穿戴
【摘要】 8月6日，爱集微讯，璞璘科技宣布其自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备通过验收并交付国内客户，标志着我国在高端半导体装备领域取得重大突破。该设备攻克了非真空完全贴合、喷胶与薄胶压印等核心技术，支持线宽小于10nm的工艺，超越国际巨头佳能同类产品（14nm线宽）。相比传统EUV光刻技术，纳米压印技术可降低60%设备成本和90%能耗，尤其适用于存储芯片制造。该设备已完成存储芯片、硅基微显等领域的研发验证，打破国外技术封锁，为国内半导体产业链自主可控提供关键支撑。璞璘科技的突破填补了国内纳米压印设备的空白，展现了国产半导体装备的创新能力。纳米压印技术在存储芯片等领域的成本优势显著，为国内厂商提供了替代EUV光刻的新路径。尽管在复杂逻辑芯片制造上仍需优化效率，但这一成果对打破国际垄断、提升产业链安全性意义重大。未来若能进一步拓展应用场景并提升量产能力，国产半导体设备有望在全球市场占据更重要的地位。
【关键词】纳米压印，国产替代，半导体设备
【摘要】 7月28日，爱集微讯，后摩智能在WAIC 2025前夕发布全新端边大模型AI芯片“后摩漫界?M50”，并推出覆盖移动终端与边缘场景的完整产品矩阵。M50芯片基于第二代SRAM-CIM双端口存算架构，实现160TOPS@INT8、100TFLOPS@bFP16的物理算力，典型功耗仅10W，支持1.5B至70B参数的本地大模型高效运行。配套硬件包括力擎?系列M.2卡、力谋?系列加速卡及计算盒子，可满足PC、机器人、工业质检等多元场景需求。后摩智能通过存算一体技术解决传统芯片“数据传输慢、功耗高”问题，能效提升5～10倍，适配离线环境下的高安全、低延迟AI应用。公司已启动下一代DRAM-PIM技术研发，目标突破1TB/s片内带宽，推动百亿参数大模型终端普及。后摩智能获中国移动、北京市人工智能基金等投资，CEO吴强表示将致力于让大模型算力“像电力一样随处可得”。
【关键词】存算一体，AI芯片，后摩智能
【摘要】 7月28日，爱集微讯，近日，东南大学徐晓宝/雷威团队开发出六英寸高纯度铅卤钙钛矿晶圆制备工艺，解决了钙钛矿大面积均匀性与缺陷控制的难题。该工艺基于陶瓷制造技术，实现了晶圆级异质结构工程，载流子迁移率、寿命及缺陷密度等性能指标媲美单晶材料。团队成功制备了10×10 cm2钙钛矿异质结晶圆，并构建了256×256像素的X射线感知阵列，灵敏度达36532 μC·Gy?1·cm?2，检测限低至139 nGy·s?1，性能显著优于单晶探测器。相关成果发表在《Advanced Functional Materials》上。该研究为钙钛矿光电器件的规模化生产开辟了新路径，有望推动高性能辐射成像系统的实际应用。东南大学的研究成果标志着钙钛矿晶圆制备技术的重大突破，填补了大尺寸、高性能钙钛矿晶圆制造的空白。钙钛矿材料在光电子领域的潜力巨大，但产业化一直受限于制备工艺的不足。该团队通过创新方法解决了均匀性和缺陷控制的核心问题，为钙钛矿在辐射成像等高端应用中的商业化提供了可能。未来，若能进一步优化工艺并实现量产，钙钛矿晶圆或将成为半导体材料领域的重要补充，甚至在某些应用中超越传统硅基材料。
【关键词】钙钛矿，晶圆，东南大学
【摘要】 7月9日，集微讯，近日，国内首条具备年产1000万支能力的“薄膜铂热敏感芯片”生产线在西部（重庆）科学城北碚园区正式建成达产。据悉，薄膜铂热敏感芯片是新一代工业测温的核心高科技产品，具有体积小、响应快、测温精度高、稳定性好等特点，测量范围覆盖零下200摄氏度至1000摄氏度，广泛应用于仪器仪表、汽车、新能源、医疗及航空航天等领域。过去，此类产品98%依赖进口，导致国内制造企业采购和使用成本高昂。为实现“薄膜铂热敏感芯片”系列产品的国产化、产业化，斯太宝科技自2018年5月创立以来，一直致力于打破国外技术产品垄断，解决相关产品“卡脖子”问题，经过数年发展，公司生产的“薄膜铂热敏感芯片”产品的性能指标已达到国内先进技术水平，个别参数性能指标达国际水平，建成国内首条1000万支/年的商业化、工业化、自动化“薄膜铂热敏感芯片”生产线，并于2025年6月达到100万支产能（设计产能90万支/月）。
【关键词】薄膜铂热敏感芯片，国产化，重庆项目
【摘要】 7月1日，集微网讯，东京大学的研究团队近期在微电子技术领域取得重大突破，成功开发出一种革命性的新型晶体管。这种晶体管摒弃了传统的硅材料，转而采用掺镓氧化铟（InGaOx）晶体材料，有望在人工智能与大数据应用中提升计算效能，并在后硅时代延续摩尔定律的生命力。晶体管作为20世纪最伟大的发明之一，是现代电子产品的核心组件，负责控制和放大电子信号。然而，随着电子设备不断微型化和高速化，传统硅基晶体管正面临发展瓶颈，接近物理极限。面对这一挑战，东京大学研究团队提出了新的解决方案。研究团队选择掺镓氧化铟作为替代材料，这种材料能形成高度有序的晶体结构，有效促进电子的高效移动。新型晶体管采用环绕式栅极（gate-all-around; GAA）设计，栅极完全包覆电流通道周围，显著提高了电子的移动率和长期稳定性。该项目的主要研究人员陈安兰表示，研究团队通过在氧化铟中掺入镓，成功改善了材料的电性反应。研究结果显示，掺镓的氧化铟能有效抑制氧缺陷，提高晶体管的稳定性。团队使用原子层沉积技术，逐层涂覆InGaOx薄膜，并通过加热将其转化为所需的晶体结构，最终制造出一种高性能的金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。
【关键词】东京大学，微电子技术，硅材料
【摘要】 6月26日，集微网讯，6月25日，LG Innotek宣布已成功开发全球首个面向移动半导体基板的铜柱(Cu-post)技术，并实现量产应用。随着智能手机轻薄化竞争加剧，市场对既提升移动半导体基板性能又压缩尺寸的技术需求激增。LG Innotek预判这一趋势，自2021年就前瞻性开发了这款次世代移动半导体基板技术。与传统通过焊球直接连接半导体基板与主板的方式不同，该技术采用铜柱结构缩小焊球间距与体积。此举不仅能实现半导体基板小型化，还可在同等面积上排布更多电路，电路密度提升有效助力智能机实现“瘦身”与高性能并行。应用此项技术后，半导体基板在性能不变前提下尺寸最多可缩减20%。该技术不仅适配轻薄化设计，更优化了人工智能（AI）计算等需高效处理复杂海量电信号的高端功能。其散热性能同样提升，铜柱采用的铜材料导热系数达铅的7倍以上，可更快导出半导体封装内部热量。铜柱技术有望巩固LG Innotek在射频系统级封装（RF-SiP）基板领域的全球霸主地位。
【关键词】移动半导体，基板性能，压缩尺寸
