【电子信息】Meta开发非入侵式脑机技术,利用AI读取大脑信号打字准确率约80%(2025-02-12)
【摘要】 2月12日,电子工程世界讯,Meta 首席执行官马克?扎克伯格(Mark Zuckerberg)此前透露,该公司正在研发一项脑机技术,未来用户可直接通过大脑输入文字。而根据《麻省理工技术评论》报道,这家科技巨头实际上已经成功打造出这一系统,主要通过 AI 模型结合具体硬件来将用户大脑信号映射成具体键盘字符,其准确率大约为 80%,也就是说,它能正确判定用户在“敲击”的按键。该设备完全依靠外部脑机读取用户大脑信号,无需植入或其他侵入性操作,这本身就是一项突破性的成就。不过,这并非是一款可以日常佩戴的便携装置,而是一台体积庞大、价格昂贵的设备,需要在隔离环境中才能发挥最佳效果。不过,相应研究成果依然具有特别积极意义,事实上,相应团队通过这一系统揭示了大脑产生语言信息的过程“我们的神经元首先会生成表达一个想法或一句话的信号,接着产生代表单词、音节,最后是字母的连续信号,整个过程构成了书面交流的信息层级”。
【关键词】Meta,脑机技术,AI准确率
【电子信息】北大2025首篇Nature:新型全固态锂硫电池问世,循环寿命超25000...(2025-01-23)
【摘要】 1月23日,电子工程世界讯,随着对高能量密度、长寿命电池的需求不断增加,全固态电池由于具有较高的安全性和比能量,在电动交通等应用中具有很强的竞争力。北京大学材料科学与工程学院庞全全团队开发了一种具有高离子电导率的新型玻璃相硫化物固态电解质材料,并基于该材料研制出具有优异快充性能和超长循环寿命的全固态锂硫电池。相关研究成果已于1月16日以“All-solid-state Li?S batteries with fast solid?solid sulfur reaction”为题发表在国际学术期刊《自然》上(IT之家附 DOI:10.1038 / s41586-024-08298-9),北京大学2025开年快速集齐Nature和Science。这种全固态锂硫电池实现了快速固固反应速率和高循环稳定性,为发展高比能、高安全、低成本的下一代动力电池提供了一套新的技术方案。
【关键词】北京大学,固态锂硫电池,循环寿命
【电子信息】国内首颗!鸿翼芯HE9788获颁ISO26262 ASIL-D产品认证证书(2025-01-21)
【摘要】 1月21日,集微网讯,近日,国家新能源汽车技术创新中心(简称“国创中心”)为广东鸿翼芯汽车电子科技有限公司(简称“鸿翼芯”)高功能安全等级发动机核心驱动芯片(U-chip)HE9788颁发ISO26262功能安全产品认证证书(ASIL-D等级)。该等级(ASIL-D)为ISO26262《道路车辆功能安全》国际标准的最高等级,要求也最为严苛。此次获得权威标准认证标志着HE9788芯片的开发流程、安全概念、设计方案、安全分析和相关故障分析,以及测试验证都通过了国创中心的审查,成为国内首颗全流程全体系达到功能安全ASIL D认证的发动机核心驱动芯片(U-chip)。此次HE9788获得ISO26262 ASIL-D认证,是鸿翼芯在国产车规级芯片领域的重大突破,是在解决国产动力控制芯片“卡脖子”问题上迈出的关键一步,标志着鸿翼芯在技术创新和产品质量上已达到国际先进水平,展现了公司在该领域的强大实力。
【关键词】鸿翼芯,国创中心,产品认证
【电子信息】美国实验室研发新型激光技术,有望大幅提升芯片制造效率(2025-01-08)
【摘要】 1月8日,电子工程世界讯,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)正在研发一种基于铥元素的拍瓦(petawatt)级激光技术,该技术有望取代当前极紫外光刻(EUV)工具中使用的二氧化碳激光器,并将光源效率提升约十倍。这一突破可能为新一代“超越 EUV”的光刻系统铺平道路,从而以更快的速度和更低的能耗制造芯片。与波长约为10微米的二氧化碳激光器不同,BAT激光器的工作波长为2微米,理论上能够提高锡滴与激光相互作用时的等离子体到EUV光的转换效率。此外,BAT系统采用二极管泵浦固态技术,相较于气体二氧化碳激光器,具有更高的整体电效率和更好的热管理能力。
【关键词】美国实验室,新型激光技术,芯片制造
【电子信息】三星显示旗下eMagin已获样品订单,有望业界率先开产RGB micro OL...(2025-01-08)
【摘要】 1月8日,IT之家讯,据韩媒ET News当地时间本月5日报道,三星显示旗下eMagin表示该企业已收到RGB micro OLED的工程样品订单,计划今年二季度开始生产,有望成为第一家开始制造这一类新型显示面板的公司。eMagin的RGB micro OLED采用硅基板沉积微型有机发光材料像素,因此也可以被称为RGB OLED oS。eMagin宣称其RGB micro OLED亮度可达10000尼特,具有高亮度高寿命的优势。业界目前已进入量产阶段的micro OLED技术是W OLEDoS+CF:由OLED发射的白光经过滤光片产生三色光,但这一流程势必会导致部分光线被滤光片阻拦,最终降低显示效果的亮度清晰度。相比之下,直接发射三色光的RGB micro OLED理论上拥有更佳画面表现。此前就有消息指出,苹果的下代Vision Pro头显有望换用RGB micro OLED显示面板。
【关键词】三星显示,样品订单,RGB产品
【电子信息】北京大学东莞光电研究院在金刚石薄膜材料制备和应用领域取得重大...(2024-12-26)
【摘要】 12月26日,集微网讯,北京大学东莞光电研究院王琦研究员与南方科技大学李携曦教授、香港大学Yuan Lin教授以及褚智勤教授等研究人员组成的联合研究团队,在金刚石薄膜材料制备和应用方面取得重要进展。他们开发了一种能够批量生产大尺寸超光滑柔性金刚石薄膜的制备方法,这一创新成果不仅在材料科学领域具有里程碑意义,也为金刚石薄膜的商业化应用铺平了道路。该研究成果以“Scalable production of ultraflat and ultraflexible diamond membranes”为题,于2024年12月18日在国际顶级学术期刊《自然》(Nature)上发表。这一发现标志着金刚石薄膜技术领域的一大飞跃,也为未来金刚石薄膜在电子、光学等多个领域的应用提供了新的可能性。
【关键词】北京大学,东莞光电研究院,金刚石薄膜
【电子信息】卫星通信重大突破:欧空局首次实现低轨5G NTN连接(2024-12-25)
【摘要】 12月25日,电子工程世界讯,欧空局(ESA)于12月23日发布博文,携手加拿大卫星通信公司Telesat,成功实现全球首个基于低地球轨道(LEO)的3GPP非地面网络(NTN)连接,标志着卫星通信技术的重大突破。此次连接测试在ESA的ESTEC 5G实验室和Telesat的LEO 3卫星之间进行,验证了5G NTN标准在LEO环境下的可行性,有望变革应急响应、乡村医疗和远程工业运营等领域。本次实验在位于荷兰的欧洲航天局欧洲空间研究与技术中心(ESTEC)5G/6G实验室进行,由Telesat运营的LEO 3卫星(主要用于测试低延迟客户应用,以及开发天线和调制解调器)经过实验室上空时,仰角范围在10°到80°之间,并在30°左右结束,以避免对地球同步轨道(GEO)弧的干扰。
【关键词】卫星通信,欧空局,低轨NTN连接
【电子信息】IBM推出新一代光电共封装工艺,可使大模型训练速度提升近五倍(2024-12-16)
【摘要】 12月16日,集微网讯,IBM在光学技术方面获得新进展,有望提升数据中心训练和运行生成式AI模型的效率。据报道,IBM推出了新一代光电共封装(CPO)工艺。该技术利用光学连接,实现了数据中心内部的光速数据传输,大大补充了现有的短距离光缆系统,有望重新定义计算行业在芯片、电路板和服务器之间的高带宽数据传输,以及最大限度地减少GPU停机时间,同时大幅加快AI工作速度。据悉,这一新技术具有显著优势。首先,极大地降低了规模化应用生成式AI的成本。与中距离电气互连装置相比,光电共封装技术的能耗降低了五倍以上。其次,该技术显著提高了AI模型的训练速度。与传统的电线相比,使用光电共封装技术训练大型语言模型的速度几乎提升了五倍。此外,光电共封装技术还可显著提升了数据中心的能效。
【关键词】IBM,光电共封装,训练速度
【电子信息】国内首家!成都华微超高速数据转换器芯片取得重大突破(2024-12-10)
【摘要】 12月10日,集微网讯,12月10日,成都华微发布公告称,公司研发的HWD08B64GA1型8位64G超高速AD转换器于近日成功发布。该芯片是国内首家基于自主28nm工艺设计的,采用独立封装的8位64G超高速AD转换器产品,且具备抗辐照能力,全流程自主可控,标志着公司在超高速数据转换器芯片领域取得了重大突破。成都华微表示,该芯片是一款基于境内28nm工艺的超高速AD转换器,采样率最高可达64GSPS且支持从32G到64G采样率连续可调,输入带宽达20GHz且支持直流输入,误码率低至1e-15,功耗低至4W,抗辐照能力达到75MeV,具备多片同步功能,集成了32/16对可配置的JESD204C高速串行接口。在技术水平方面,该芯片是国内首家50GSPS以上采样速率的超高速ADC,性能可比肩国际最高水平。该产品误码率低、支持DC输入、同时兼具抗辐照能力。该芯片基于国内标准商用CMOS工艺和标准封装,成功解决超高速时钟产生与分发,超宽带信号接收与处理,50G以上采样超高速ADC多芯片同步,抗辐照能力等重大技术挑战。
【关键词】成都华微,数据转换器,芯片
【电子信息】填补国内空白!中国移动、华为等联合发布首颗GSE DPU芯片(2024-11-20)
【摘要】 11月20日,电子工程世界讯,日前,2024年世界互联网大会“互联网之光”博览会在浙江乌镇开幕。会上,中国移动与华为、中兴、华三、锐捷、盛科、云豹智能等产业合作企业共同发布首颗全调度以太网(GSE)DPU芯片——“智算琢光”。据中国移动科协介绍,智算琢光芯片是首颗全量支持GSE标准的DPU芯片,支持200G端口速率、以及GSE协议特有的报文容器喷洒以及基于DGSQ的拥塞控制机制等能力,并完成与业界多家主流交换芯片对接验证。基于该芯片搭建的GSE网络性能可比传统RoCE网络提升30%以上,大幅提升GPU节点间通信效率,填补我国在新型智算中心网络高性能DPU芯片领域的空白。与CPU、GPU不同的是,DPU的设计初衷是为减轻CPU在数据传输、加密和存储等任务中的负担。DPU网卡芯片作为智算GPU集群中算和网连接的枢纽,是智算中心实现端网协同组网的核心芯片之一。
【关键词】中国移动,华为,DPU芯片
【电子信息】废旧锂离子电池回收取得重要突破(2024-11-12)
【摘要】 11月12日,集微网讯,从昆明理工大学冶金与能源工程学院获悉,昆明理工大学教授华一新、副教授汝娟坚等人有针对性地提出了基于水平衡调节低共熔溶剂中离子竞争配位的创新策略。该策略通过精准调控溶剂中的水分含量,实现了材料循环与溶剂循环的双循环回收,有效提高了废旧电池中有价金属的回收效率。值得一提的是,该团队首次在低共熔溶剂中实现了锂的优先提取及钴的精准分离。这一突破性进展得益于氯化胆碱-草酸-水低共熔溶剂的独特优势,其低黏度、高溶解性和选择性析出含锂化合物的特性,使得锂的优先提取成为可能。更重要的是,整个过程中无须添加还原剂和沉淀剂,大大降低了回收成本和环境风险。此外,团队还首次系统分析了水含量对低共熔溶剂中离子竞争配位的调节机制。通过分子动力学模拟,揭示了水含量及浸出温度对离子竞争配位的影响,进一步阐明了锂的优先析出和钴的精准分离机理。这一成果,不仅为废旧电池中有价金属的回收提供了理论支撑,还为其他类型电池材料的回收提供了借鉴。
【关键词】锂离子电池,回收,技术突破
【电子信息】鸿翼芯研发车规级高性能电源管理芯片实现一次流片成功(2024-11-07)
【摘要】 11月7日,集微网讯,鸿翼芯自主研发的48pin高性能电源管理芯片 HE9285,一次流片成功,现已完成实验室验证,进入AEC-Q100可靠性认证流程,该芯片可完全实现pin to pin国产替代某德国半导体巨头公司新一代明星芯片!HE9285可以广泛应用于汽车电子底盘及动力、车身系统,满足车规Grade0等级。该芯片拥有预稳压器(Preregulators)和后稳压器(Postregulators),及3路高性能LDO和2路tracker,并且具有超低的静态功耗模式;其全电源电压范围(VB从3.0V到40V)、全温度范围(-40度到150度)都具有卓越的动态响应,以及高度的稳定性和可靠性。随着全球新能源汽车和智能网联技术的飞速发展,市场对高性能电源管理芯片的需求持续增长。HE9285近期还将开展ISO26262 ASIL-D功能安全认证,确保故障安全输出;与同类型产品对比,该芯片在安全性和性能上均有明显提升。该芯片的一次成功流片意味着国内车规芯片产业链自主可控能力再上台阶,突围垄断。
【关键词】鸿翼芯,电源管理芯片,流片成功
【电子信息】中国首个器官芯片国标正式发布,东南大学医械院牵头(2024-11-04)
【摘要】 11月4日,电子工程世界讯,由东南大学苏州医疗器械研究院顾忠泽教授团队牵头完成的我国首个器官芯片领域的国家标准GB/T44831-2024《皮肤芯片通用技术要求》正式发布。此次发布的我国首个器官芯片国家标准由顾忠泽院长团队牵头起草,东南大学、博奥生物集团有限公司、江苏艾玮得生物科技有限公司、清华大学、南方医科大学、南京市食品药品监督检验院、南京市计量监督检测院等21家单位共同合作完成。该标准主要规定皮肤芯片的相关术语定义、皮肤芯片的外观、细胞来源、组件性能、生物性能的技术要求,适用于以微流控芯片为载体的皮肤芯片产品的设计、生产和检测。据介绍,皮肤芯片作为人体器官芯片的重要分支,利用先进的微流控技术,成功模拟了皮肤的生化与生理特性,构建出具有屏障结构与功能的微型细胞及组织培养平台。其独特的高通量、自动化培养与检测能力,预示着它将成为毒理测试、药物筛选、化妆品评估等领域的革新工具,有望逐步替代传统的二维细胞培养、动物实验乃至人工皮肤实验,引领皮肤相关体外评价技术迈向新的高度。
【关键词】器官芯片,国家标准,医疗电子
【电子信息】美国创企24M开发出新型隔离膜,降低电动汽车电池起火风险(2024-10-21)
【摘要】 10月21日,集微网讯,一家由大众和日本京瓷支持的美国初创公司24M Technologies开发了一种隔离膜,据称这种隔离膜可以降低电动汽车电池起火的风险。麻省理工学院的分拆公司24M Technologies与日本合作伙伴共同开发了Impervio隔离膜。24M表示,正在大规模生产,并计划在2026年将此款隔离膜推向市场。电动汽车中锂离子电池的反复充电会导致电池内部形成结晶枝状晶。随着枝状晶的生长,它们会损坏电池材料,造成短路和火灾的风险。24M的新型隔离膜涂有导电材料,并覆盖有绝缘膜。这种结构阻止了枝状晶的生长,降低了火灾风险。据该公司称,新的隔离膜技术每千瓦时仅增加约1美元的成本,其投资者还包括日本的伊藤忠商事和富士胶片。
【关键词】美国创企,新型隔离膜,电池起火
【电子信息】6G测试速度达到惊人的938Gbps,比5G快5000倍(2024-10-21)
【摘要】 10月21日,集微网讯,6G有望成为移动服务提供商历史上网络带宽最大的飞跃之一。据报道,研究人员已成功创建了一个6G网络,实现938Gbps的传输数据速率。从长远来看,938Gbps几乎比典型的5G智能手机上优秀的5G网络连接快5000倍,5G运行速度约为200Mbps。如果考虑到现实世界中信号的连接问题,它通常提供的速度远低于100Mbps。这一令人印象深刻的壮举是由伦敦大学学院(UCL)的Zhixin Liu及其团队完成的。据称,该团队使用了无线电波和基于光的通信的组合,频率范围是有史以来最宽的频谱,为5-150GHz。Zhixin Liu及其团队据称与智能手机制造商和网络提供商讨论了他们正在开发的技术。具体来说,该团队的开发旨在解决下一代6G基站在接入点和集线器之间通信的100Gbps需求。
【关键词】6G网络,测试速度,6G基站
【电子信息】超强高压极化电子枪问世,可将电子从零加速到光速的百分之八十(2024-10-14)
【摘要】 10月14日,电子工程世界讯,据美国科学促进会10日消息,美国能源部布鲁克海文国家实验室的科学家设计并测试了世界上电压最高的极化电子枪,这是建造世界上第一台全极化电子—离子对撞机(EIC)所需的关键部件。IC是一个尖端核物理设施,目前正在建造中。直流激光驱动极化电子枪是EIC的主要部件,其目标是成为EIC中一束碰撞粒子的“发令枪”,在约38.6公里周长的环形对撞机内产生并发射电子。理论上这应该会粉碎原子核中的质子和中子,并揭示它们存在的机制。该设备的首席架构师、布鲁克海文实验室物理学家王尔东表示,他们可将电子的速度加速至光速的80%。这意味着在大约二十亿分之一秒内,电子的速度可从零加速到高达每小时8亿多公里(约光速的80%),而这一过程仅在电子枪内部约5厘米的空间内完成。
【关键词】超强高压,极化电子枪,电子加速
【电子信息】我国团队实现水稻“生出”半导体材料(2024-10-10)
【摘要】 10月10日,集微网讯,据武汉科技大学消息,日前,该校材料学部“志同‘稻’合”学生团队采用低温镁热技术,从稻杆、稻壳中提取制作一种半导体材料——纳米碳化硅,纯度达99.99%,颗粒尺寸可细达30nm,使稻壳附加值提升9倍以上。学生团队负责人韦奕麒从2021年起研究碳化硅,带领团队成员赴各地农村调研,看到农业副产物堆积十分严重,综合利用率不足40%。经过对30余种农业副产物检测后发现,水稻中氧化硅含量高,且粒度均匀,呈纳米形态。韦奕麒介绍,团队曾在乡村开展试点工作,面向农户以高于市场100%的价格收购稻壳,并采用低温工艺生产高纯度纳米碳化硅产品,近三年可为企业新增营业额1000万元以上。当前项目已完成中试阶段,正在和企业开展战略合作进行产品试用,团队计划在各村镇建立农业副产物原料加工基地,助农增收。
【关键词】水稻,半导体材料,纳米碳化硅
【电子信息】SK海力士宣布大规模量产12层HBM3E芯片,实现36GB最大容量(2024-09-26)
【摘要】 9月26日,电子工程世界讯,SK海力士今日宣布,公司全球率先开始量产12层HBM3E芯片,实现了现有HBM产品中最大的36GB容量;公司将在年内向客户提供此次产品。据介绍,SK海力士还堆叠12颗3GB DRAM芯片,实现与现有的8层产品相同的厚度,同时容量提升50%。为此,公司将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%,并采用硅通孔技术(TSV)技术垂直堆叠。此外,SK海力士也解决了在将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题。公司将其核心技术先进MR-MUF工艺应用到此次产品中,散热性能较上一代提升了10%,并增强了控制翘曲问题,从而确保稳定性和可靠性。自2013年全球首次推出第一代HBM至第五代HBM(HBM3E),公司是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。公司业界率先成功量产12层堆叠产品,不仅满足了人工智能企业日益发展的需求,同时也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导者地位。
【关键词】SK海力士,HBM3E芯片,最大容量
【电子信息】超低成本电池阴极材料研发成功,有望改变能源存储和电动汽车供能...(2024-09-25)
【摘要】 9月25日,电子工程世界讯,据最新一期《自然·可持续性》杂志报道,美国佐治亚理工学院领导的多机构团队开发出一种革命性低成本阴极材料——氯化铁,其成本仅为典型阴极材料的1%-2%,但可储存相同数量的电量。该项成果将极大地改善电动汽车市场以及整个锂离子电池市场。电动汽车等大规模能源用户对锂离子电池的成本尤其敏感。截至目前,只有4种类型的阴极成功商业化应用于锂离子电池。新开发的阴极将是第5种,代表了电池技术的一大进步:全固态锂离子电池的开发。团队表示,这项技术或能在不到5年的时间内在电动汽车中实现商业化。氯化铁的工作电压比现有的电极材料更高,这意味着使用氯化铁的电池会有更大的容量。氯化铁电极有良好的稳定性和较低的退化率,有助于降低电池的更换频率。而且,氯和铁到处都有,这意味着成本的降低和对环境影响的轻微。如果氯化铁能成功商用,对固态电池的意义是划时代的。未来不光电动汽车受益,手机和无人机也将变得更加强劲持久。
【关键词】电池,阴极材料,超低成本
【电子信息】我国突破氢离子注入核心技术100%国产(2024-09-13)
【摘要】 9月13日,电子工程世界讯,据国家电力投资集团官方消息,近日,集团所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司核力创芯暨国家原子能机构核技术(功率芯片质子辐照)研发中心,完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。这标志着,我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺,补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环,为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用。这一领域核心技术、装备工艺的缺失,严重制约了我国半导体产业的高端化发展,特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯在遭遇外国关键技术、装备封锁的不利条件下,在不到3年的时间里,突破了多项关键技术壁垒,实现了100%自主技术、100%装备国产化,建成了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台。
【关键词】氢离子注入,核心技术,国产