【摘要】 4月18日，集微网讯，近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。中国电科消息称，在750V碳化硅功率芯片项目中，双方技术团队从结构设计、工艺技术、材料应用维度开展联合攻关，推动碳化硅功率芯片技术达到国际先进水平。目前，已进入产品级测试阶段。而在2in1碳化硅功率模块项目中，双方技术团队围绕新结构、新工艺、新材料开展联合攻关，实现芯片衬底与外延材料制备、芯片晶圆设计与生产、封装结构设计、塑封工艺开发与模块试制等关键环节全流程自主创新，为碳化硅功率半导体设计与生产全自主化、全国产化打下基础。
【关键词】中国电科，碳化硅，功率器件
【摘要】 4月6日，集微网讯，我国科学家在室温下实现超快氢负离子传导！中科院大连化学物理研究所陈萍研究员、曹湖军副研究员团队提出了一种全新的材料设计研发策略，通过机械化学方法，在稀土氢化物——氢化镧晶格中故意制造大量的缺陷和纳米微晶，研发出首个室温环境下超快氢负离子导体。相关研究成果4月5日发表于《自然》杂志。氢负离子具有强还原性和高氧化还原电势，已经成为研究者们关注的重点。此次，研究人员创新地采用机械球磨制备方法，通过撞击和剪切力，造成氢化镧晶格的畸变，形成了大量的纳米微晶和缺陷。这些晶格缺陷可以显著抑制氢化镧的电子传导，使其电子电导率相比结晶良好的氢化镧下降5个数量级以上。更重要的是，材料结晶度的改变对氢负离子传导的干扰并不显著，可以在“震”住电子转移的同时，仍旧“维持”氢负离子的快速传输，最终获得了优异的氢负离子传导特性。
【关键词】稀土，氢负离子，导体研制
【摘要】 3月28日，集微网讯，近日，清华大学深圳国际研究生院康飞宇、贺艳兵团队与中国科学院大连化物所钟贵明副研究员合作提出了介电陶瓷材料耦合新方法，提出了创建高通量锂离子输运路径以克服复合固态电解质低离子电导率挑战的新策略，构建了高离子电导无机/有机复合固态电解质介电材料，同步实现了锂盐高效解离和离子“跨物相”快速传递。具体而言，研究团队将BaTiO3-Li0.33La0.56TiO3-x并肩耦合结构纳米线与聚偏氟乙烯基体（PVDF）电解质复合，构建了高离子电导高介电复合固态电解质材料（PVBL），发现置于电场下的高介电常数BaTiO3被极化产生内置反向电场，将锂盐（LiFSI）的解离度提升了25%，使PVBL产生更高浓度的自由移动锂离子。该研究率先通过介电陶瓷材料耦合效应，大幅提升了复合固态电解质的离子输运能力和可移动锂离子的浓度，为突破复合固态电解质的离子电导率阈值奠定了理论基础。
【关键词】清华大学，固态电池，电解质
【摘要】 3月16日，集微网讯，中国科学技术大学潘建伟、徐飞虎等与中国科学院上海微系统与信息技术研究所、济南量子技术研究院、哈尔滨工业大学等单位的科研人员合作，通过发展高保真度集成光子学量子态调控、高计数率超导单光子探测等关键技术，首次在国际上实现百兆比特率的实时量子密钥分发，实验结果将此前的成码率纪录提升一个数量级。潘建伟、徐飞虎研究组发展了集成光子片上高速高保真度偏振态调制技术，系统重频达到2.5 GHz，量子比特误码率优于0.35%；结合中科院上海微系统所尤立星团队最新研制的八像素SNSPD，实现了高计数率、高效率的单光子探测，在每秒输入5.5亿个光子时仍能保持62%的探测效率；同时，研究组发展了偏振反馈控制、高速后处理模块等。在上述技术突破的基础上，研究团队实现了10公里标准光纤信道下115.8 Mb/s的密钥率，较之前纪录提高了约一个数量级；系统稳定运行超过50个小时，在传输距离328公里下码率超过200b/s。上述研究成果表明，QKD可实现百兆比特率的实时密钥分发，满足高带宽通信需求，对未来量子通信的大规模实际应用具有重要意义。
【关键词】中科大，百兆比特率，量子密钥
【摘要】 3月15日，集微网讯，据安徽省量子计算工程研究中心消息，国产首个用于保存量子芯片的高真空存储箱近日在合肥研制成功，并已投入国内首条量子芯片生产线使用，科学家形象地称其为“量子芯片冰箱”。合肥晚报报道，安徽省量子计算工程研究中心副主任贾志龙介绍，本源量子团队采用高真空存储技术，自主研发量子芯片高真空存储箱，可以为量子芯片提供高真空的保存环境，就像是量子芯片的“冰箱”，研发人员用它调节存储空间的室内压强，从而给量子芯片“保鲜”。量子芯片是量子计算机的核心部件，需要经过复杂的系统生产过程，像环境温度、洁净程度、噪声、振动、电磁波以及微小杂质颗粒等，都会对量子芯片产生影响。
【关键词】科研团队，量子芯片，存储箱
【摘要】 3月10日，集微网讯，近日，北京量子信息科学研究院袁之良团队首创量子密钥分发开放式新架构，采用光频梳技术，实现615公里光纤量子通信。相关成果发表于国际学术期刊《自然-通讯》。“双场”是目前所有量子密钥分发协议中，最适合远距离传输的一种。北京量子信息科学研究院首席科学家袁之良介绍，双场架构下量子通信，需要相距遥远的两个独立激光源各自发出“信号”。想要避免“信号”失误，就需要服务光纤。这意味着通信两端之间还需额外架设“一条路”，这也就构成了由“两条路”构成的传统架构。据悉，为“节省”下服务光纤但保留其发挥的作用，袁之良团队首次将光频梳技术应用于双场量子密钥分发。作为世界上首个开放式架构的双场量子密钥分发系统，该架构在确保量子通信安全性的同时，能大幅降低系统建设成本，在量子通信的实现方案方面有了创新突破，为我国建设多节点广域量子网络奠定基础。
【关键词】量子信息，量子密钥，开放架构
【摘要】 2月24日，集微网讯，近日，清华大学深圳国际研究生院李星辉团队与国防科技大学团队合作提出了一种基于反射型二维光栅的外差式三自由光栅干涉仪。团队自主设计具有高光敏度、高频差和高信噪比的双频激光系统，基于二维反射型光栅和采用创新的共光路设计，搭建三自由度位移测量系统，设计并优化外差信号相位检测算法，最终实现了亚纳米的测量分辨率和重复定位精度。这项工作将有效推动多自由度光栅精密定位技术的发展。多自由度精密定位技术在纳米计量、显微成像、精密机床、半导体制造等领域具有重要地位。以半导体制造为例，以光栅栅距为测量基准的光栅干涉仪正成为光刻机晶圆台超精密定位的主流方法。
【关键词】清华大学，光栅干涉，超精密测量
【摘要】 2月21日，集微网讯，单片三维集成是集成电路在后摩尔时代的重要发展方向，存储与逻辑的单片集成可以大幅提升系统的带宽与能效，是解决当前集成电路领域面临的“存储墙”与“功耗墙”挑战的主要技术路径。北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心吴燕庆研究员-黄如院士团队在过去5年中面向单片三维集成中的半导体材料、界面、输运、器件、电路与关键集成技术开展了系统研究，经过数年攻关，突破了非晶氧化物半导体在尺寸微缩时面临的材料、工艺与器件瓶颈。团队实现的器件与电路在各方面性能上均达到了国际最高水平，填补了先进集成电路领域在该方向上的空白，并建立了具有自主知识产权的非晶氧化物半导体成套关键技术。
【关键词】北京大圩，氧化物，半导体器件
【摘要】 2月7日，集微网讯，近日，紫光展锐联合中国电信卫星公司、中兴通讯、佰才邦、中国信息通信研究院、中国电信广东公司等产业合作伙伴，成功完成了全球首次S频段15G NTN（non-terrestrial network，非地面网络）技术上星验证。紫光展锐消息称，此次验证采用3GPP R17 NTN协议，突破了地球静止轨道卫星通信带来的频率同步、时间同步、时序关系增强等协议匹配性难题，实现了自主可控的5G NTN端到端全链路连通，初步验证了基于3GPP R17 NTN协议的手机直连卫星、天地一体物联网技术方案的可行性。本次技术上星验证采用的测试终端基于紫光展锐R17 NTN芯片开发，通过S频段，连接中国自主研发的天通一号卫星以及信关站、5G NTN基站、地面核心网，实现与地面网络的互联互通。同时完成了广播、接入、数据传输等通信过程，实现多终端接入、多终端互通。验证结果确认了基于展锐芯开发的终端可用于手机直连卫星场景和天地一体物联网场景。
【关键词】紫光展锐，S频段，上星验证
【摘要】 2月1日，集微网讯，1月31日，据“合肥发布”公众号报道，在安徽合肥，国内首条量子芯片生产线上这几天已经是一片繁忙景象。我国最新量子计算机“悟空”即将在这里面世，生产线正在紧锣密鼓生产量子芯片。央视新闻对此进行了“探秘”直播。另据《科技日报》日前报道，合肥本源量子已研发出多台中国量子计算机，并成功交付一台量子计算机给用户使用。该量子计算机的成功交付使我国成为世界上第三个具备量子计算机整机交付能力的国家。据了解，本源量子是中国第一家量子计算公司，其在2020年已上线国内首台国产超导量子计算机本源悟源，并通过云平台面向全球用户提供量子计算服务；在2022年发布了国内首个量子计算机和超级计算机协同计算系统解决方案。
【关键词】量子计算机，整机交付，本源量子
【摘要】 1月17日，电子工程世界讯，据科技日报报道，中国科学技术大学郭光灿院士团队任希锋研究组与国外同行合作，基于光量子集成芯片，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的干涉。相关成果于1月13日发表在光学权威学术期刊《光学（Optica）》上。任希锋研究组长期致力于硅基光量子集成芯片开发及相关应用研究并取得系列重要进展，在前期工作基础上，研究组同德国马克斯普朗克光科学研究所 MarioKrenn 教授合作，通过进一步将多光子量子光源模块、滤波模块和延时模块等结构进一步片上级联，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的相干相长、相消过程。而双光子符合并未观测到随相位的明显变化，这同理论预期一致。整个实验在一个尺寸仅为 3.8×0.8mm2 的硅基集成光子芯片上完成。据了解，该成果成功地将两光子非线性干涉过程扩展到多光子过程，为新型量子态制备、远程量子计量以及新的非局域多光子干涉效应观测等众多新应用奠定了基础。
【关键词】光量子，集成芯片，非线性
【摘要】 1月10日，电子工程世界讯，用先进的封装技术连接功能不同的数个芯片以达到先进制程芯片功能的小芯片（又称晶粒）技术，被视为中国突破美国芯片科技禁运的快捷方式。长电科技开发的先进封装技术已开始为国际客户进行芯片封装量产。面对西方国家对中国进行包括极紫外（EUV）光刻机在内的半导体设备禁运，以小芯片等先进封装技术将成熟制程的芯片组合连结后达到先进制程芯片功能的技术，成为中国突破美方科技禁运的重要路线之一，很快获得明显进展。报道说，长电科技宣布，该公司开发的XDFOI小芯片高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段，同步实现国际客户4纳米节点多芯片系统集成封装产品出货，最大封装体面积约为1500平方毫米的系统级封装。据了解，长电科技将充分发挥这一工艺的技术优势，在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域应用，向下游客户提供外形更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案。
【关键词】小芯片，4纳米，长电科技
【摘要】 1月10日，集微网讯，基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望突破1T1C-DRAM的微缩瓶颈。针对平面结构IGZO-DRAM的密度问题，中科院微电子所微电子重点实验室刘明院士团队在垂直环形沟道结构IGZO FET 的基础上，研究第二层器件堆叠前层间介质层工艺的影响，验证了CAA IGZO FET在2T0C DARM应用中的可靠性。中科院微电子研究所消息，经过优化后的IGZO FET表现出优秀的可靠性，经过10000秒栅极偏压应力稳定性测试后（包括正偏压与负偏压条件），阈值电压漂移小于25mV，进行1012次写入擦除操作后没有表现出性能劣化。该研究成果有助于推动实现4F2 IGZO 2T0C-DRAM单元。基于该成果的文章入选2022 IEDM。
【关键词】中科院，CAA结构，DRAM研究
【摘要】 1月4日，电子工程世界讯，从安徽省量子计算工程研究中心获悉，国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS—100激光退火仪已研制成功，可解决量子芯片位数增加时的工艺不稳定因素，像“手术刀”一样精准剔除量子芯片中的“瑕疵”，增强量子芯片在向多比特扩展时的性能，从而进一步提升量子芯片的良品率。据了解，该激光退火仪由合肥本源量子计算科技有限责任公司（以下简称本源量子）完全自主研发，可达到百纳米级超高定位精度，对量子芯片中单个量子比特进行局域激光退火，从而定向控制修饰量子比特的频率参数，解决多比特扩展中比特频率拥挤的问题，助力量子芯片向多位数扩展。
【关键词】激光退火仪，量子芯片，生产线
【摘要】 12月29日，集微网讯，近日，盛美上海首台具有自主知识产权的涂胶显影Track设备Ultra LITH成功出机，顺利向中国国内客户交付首台前道ArF工艺涂胶显影Track设备。今年11月，盛美上海推出涂胶显影Track设备，正式进军涂胶显影Track市场。当时消息称，该设备是一款应用于300毫米晶圆工艺的设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手处理以及强大的软件系统，从而满足客户特定需求；该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）；该设备还将支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，同时让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。此外，盛美上海将于2023年推出i-line型号设备，并且公司已开始着手研发KrF型号设备。
【关键词】盛美上海，ArF工艺，设备出机
【摘要】 12月23日，SEMI大半导体产业网讯，据证券时报报道，在近日举办的“第二届中国互连技术与产业大会”上，首个由中国集成电路领域相关企业和专家共同主导制定的《小芯片接口总线技术要求》团体标准，正式通过工信部中国电子工业标准化技术协会的审定并发布。这是中国首个原生Chiplet技术标准，对于中国集成电路产业延续“摩尔定律”，突破先进制程工艺限制具有重要意义。近些年，美国政府对中国半导体的制裁步步升级，中国半导体产业逐渐意识到，产业链上下游的任何一环，如果不能实现自主可控，都存在被制裁的风险，Plan B势在必行。因此，Chiplet作为后摩尔时代的热门技术之一，即便是已经有了像UCIe这样的产业联盟，不少业内人士依然认为我们需要一套属于自己的Chiplet技术标准。
【关键词】Chiplet，技术标准，摩尔定律
【摘要】 12月15日，集微网讯，近日，中国电科48所第三代半导体装备研发取得重大突破，牵头申报的“大尺寸超高真空分子束外延技术与装备”项目，获得国家科技部“高性能制造技术与重大装备”重点专项立项。分子束外延（MBE）装备是先进材料与芯片制造的核心“母机”。48所立足国家所需、行业所趋、电科所能，聚焦离子束、分子束、电子束“三束”技术，不断推动半导体装备核心技术研发与产业化，相继开发了单片4吋、6吋机型并实现应用，为研制大尺寸MBE装备打下了坚实技术基础。该项目将由48所联合国内高校、研究所及专业公司协同攻关，利用48所的技术优势，充分发挥国家第三代半导体技术创新中心（湖南）平台作用，奋力突破一批关键核心技术与工艺难题，为实现我国MBE技术和装备的跨越式发展提供有力支撑。
【关键词】中国电科，半导体装备，国家立项
【摘要】 12月8日，SEMI大半导体产业网讯，SK海力士今日宣布成功开发出DDR5多路合并阵列双列直插内存模组(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*样品，这是目前业界最快的服务器DRAM产品。该产品的最低数据传输速率也高达8Gbps，较之目前DDR5产品4.8Gbps提高了80%以上。该MCR DIMM产品采用了全新的方法来以提高DDR5的传输速度。虽然普遍认为DDR5的运行速度取决于单个DRAM芯片的速度，但SK海力士工程师在开发该产品时另辟蹊径，提高了模块的速度而非单个DRAM芯片的速度。SK海力士技术团队在设计产品时，以英特尔MCR技术为基础，利用安装在MCR DIMM上的数据缓冲器(data buffer)*同时运行两个内存列。传统DRAM模块每次只能向CPU传输64个字节的数据，而在MCR DIMM模块中，两个内存列同时运行可向CPU传输128个字节的数据。每次传输到CPU的数据量的增加使得数据传输速度提高到8Gbps以上，是单个DRAM的两倍。该产品的成功开发得益于与英特尔、瑞萨电子的合作。三家公司在从开发到速度和性能验证的各个阶段都进行了紧密的合作。
【关键词】SK海力士，服务器，内存模组
【摘要】 11月23日，集微网讯，近日，由中国科学技术大学教授陈杨、华中科技大学教授陆培祥与新加坡国立大学讲席教授仇成伟组成的联合团队首次实现基于混合纳米波导的WS2谷光子的长距离保真传输与定向分发。该成果发表于《自然·纳米技术》。研究中，陈杨等人设计并制备了一种以金—二硫化钨—二氧化硅—二氧化钛材料为基础的混合波导材料，为能谷信息的后处理奠定了基础；还构建了一种单入双出的谷光子路由器，实现能谷信息的定向选择性分发。在此基础上，科研人员进一步实现能谷信息在三端口环行器中的单向传输。科技日报消息显示，仇成伟看来，谷电子器件应用前景广阔，是未来新型电子器件的重要类型。基于谷电子的集成光子器件已经在一些领域投入了应用。此外，谷电子器件也可能被用于量子计算、存储、通信等领域。
【关键词】中国科大，谷光子，保真传输
【摘要】 11月10日，电子工程世界讯，德国科学家首次将拥有特殊光学特性的铒原子集成到硅晶体内，这些原子可通过通信领域常用的光连接起来，使其成为未来量子网络的理想构建块。最新实验结果在没有复杂冷却的条件下获得，且基于现有硅半导体生产工艺，因此适用于构建大型量子网络。相关研究刊发于最新一期《物理评论X》杂志。最新技术依赖于在特定条件下注入硅晶格的铒原子。研究表明，铒具有良好的光学性能，其原子发射出的红外光波长约为1550纳米，位于光纤电缆中传输数据的光谱范围，且铒在光导纤维中传播时损耗较低。此外，铒发出的光具有极好的相干性，这是实现量子信息存储和传输的先决条件。这些特性使铒成为实现量子计算机或在量子网络中用作信息载体的首选。
【关键词】铒原子，硅晶体，量子网络
