【摘要】 12月23日，贤集网讯，12月22日，赛维LDK宣布，经过近10年的研发和多次测试。今天，世界首个旋式铸造单晶炉研制成功。该旋式铸造单晶炉由陈仙辉院士团队和赛维技术团队合作研制，由多晶硅铸锭炉改造而成，单炉硅锭重量可达1200kg，经测算，相比传统直拉单晶工艺，旋式铸造单晶炉制造的单晶成本大幅降低20%；同时，可以改造、升级多晶硅企业现有的多晶硅铸锭炉，盘活多晶硅铸锭设备资产，具有巨大的经济效益。业内专家分析认为，旋式铸造单晶炉一改直拉单晶传统工艺，是一项单晶制造行业颠覆性技术革新。铸造单晶技术比传统直拉单晶更适合HIT高效电池，且成本大幅降低。一经推广开来，也将极大降低单晶制造乃至光伏发电成本，对光伏高质量发展和光伏发电的普及应用都具有里程碑式的推动意义。
【关键词】旋式铸造，单晶炉，研制成功
【摘要】 12月16日，集微网讯，来自华为官网的消息显示，日前，华为在超高速信号处理技术方向实现了突破，首次实现220 GBaud超高速信号传输（业界商用能力最高仅为95GBaud，学术研究最高水平为192 GBaud），奠定了未来向单波速率超Tbit级别传输的技术基础。据了解，华为的此项研究成果是在ECOC 2020（欧洲光纤通讯展览会）上作为PDP（Post-deadline paper，在截稿日期之后被接收的论文）论文发表时披露的。本届ECOC大会共有460篇论文参与评审，PDP文章仅有7篇，而华为的论文是唯一1篇来自中国设备商的研究成果。在超高速传送领域，通过提高信号的符号速率是利用数字相干技术实现大容量传输系统的重要研究方向之一，尤其在单波速率向超Tbit级别演进，基于高符号速率的传输系统往往可以实现更好的传输效果。当前业界商用最顶尖的单波800G传输技术采用95 GBaud 左右的信号，业界同类研究中最高速率纪录是2019年由日本NTT研究人员报道的192 GBaud。此次华为慕尼黑光通信研发团队研发人员借助新型大带宽IQ调制器以及神经元网络的非线性数字信号处理算法，首次突破200GBaud的关卡，首次实现220 GBaud超高速信号传输，刷新业界纪录，同时也为未来单波速率向超Tbit级别的技术演进奠定基础。
【关键词】华为，超高速，光传输研究
【摘要】 12月10日，集微网讯，2020年EDA行业领军企业国微集团大动作频频，继自动化布局布线工具之后，又一款重量级产品已经蓄势待发--硬件仿真加速器即将震撼发布。国微集团研发的硬件仿真加速器就拥有高效的调试纠错能力，以及精准的功耗分析，保证了芯片验证的“精度”；大大缩短了平台建立时间、提高了编译速度和超高的仿真吞吐量，保证了芯片验证的“速度”。这款硬件仿真加速器最大特点在于可显著提升芯片或系统级设计的验证效率，帮助芯片研发企业在保证产品质量和性能的基础上缩短研发周期，对整个行业的发展具有重要意义。它的研发成功，标志着国产化硬件仿真加速技术又将迈向一个新的里程碑。
【关键词】国微集团，EDA硬件，仿真加速器
【摘要】 11月26日，贤集网讯，11月22日，宜昌南玻光电玻璃有限公司再传喜讯：经过10个小时的紧张生产及调试，随着过渡辊道的缓缓滚动，0.18毫米超薄电子玻璃“行走”在主传动线上，成功达标量产，日产量达到10000平方米。作为电子显示产业上游关键原材料产品——超薄电子玻璃，在2010年之前一直依赖进口，经过近十年国内企业的不断发展，原先被国外厂商垄断的各厚度产品记录被逐步打破。随着5G的大规模推广运用，各大手机厂商都在积极研发柔性屏移动终端，而玻璃作为优质显示材料，厚度越薄，可弯曲的角度就越大，因此开发更薄厚度的超薄电子玻璃成为必然趋势。而0.2毫米及以下厚度超薄电子玻璃的生产，代表着超薄电子玻璃生产企业最先进的技术水平。此次0.18毫米超薄电子玻璃的成功研发，提升了我国超薄电子玻璃产业国际竞争力，对推动玻璃板块调整和优化升级具有重要意义，为将来开发更薄厚度的超薄电子玻璃奠定了基础。
【关键词】宜昌，超薄电子玻璃，成功量产
【摘要】 11月17日，电子工程世界讯，目前，重庆邮电大学实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片。重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义透露，这款功率半导体芯片电量能节省10%以上，面积是硅芯片的1/5左右，开关速度提升10倍以上。目前，该项目已经到了试验性应用阶段，未来有望在各种电源节能领域和大数据中心使用。据了解，第三代半导体功率芯片主要应用在汽车电子、消费电源、数据中心等方面，具备体积小、效率高、用电量少等特点。值得注意的是，由重庆邮电大学规划的重庆集成电路设计创新孵化中心已入驻西部（重庆）科学城。据悉，该中心将着力建设重庆市集成电路公共设计、测试分析、半导体工艺等为一体集成电路中试平台，结合重庆市新兴产业需求，提供低成本、高效率的集成电路公共服务与专业技术支持；孵化一批人工智能芯片、公共安全专用芯片、化合物半导体芯片等方向的高端科技成果及高科技企业。
【关键词】重庆邮电大学，半导体，氮化镓功率芯片
【摘要】 11月6日，集微网讯，近日，江苏微导纳米科技股份有限公司（简称“微导纳米”）获来自某先进半导体芯片制造企业的首个订单，即将交付首台用于先进技术节点的原子层沉积（ALD）量产设备。微导纳米官方消息显示，该产品聚焦全球IC制造市场，为逻辑、存储等超大集成电路制造提供关键工艺技术和解决方案。尤其是在国内尖端半导体芯片制造方面，产品技术可覆盖45纳米到5纳米以下技术节点所必需的高介电常数栅氧层ALD工艺需求，填补了该领域无国产设备的空白。企查查显示，微导纳米成立于2015年，是一家面向全球的高端设备制造商，专注于先进薄膜沉积和刻蚀装备的开发、设计、生产和服务。2020年，微导纳米自主研发的凤凰系列ALD薄膜沉积系统成功实现量产化，专用于先进超大集成电路（VLSI）制造所需各类ALD薄膜沉积工艺。
【关键词】微导纳米，半导体装备，国产化突破
【摘要】 11月5日，集微网讯，日前，北京大学化学与分子工程学院黄春辉课题组合成了两种具有纳秒级短激发态寿命的d-f跃迁稀土铈(III)配合物Ce-1和Ce-2，紫外激发下分别发射深蓝色和天蓝色光，光致发光量子产率均超过90%。经过优化，两种材料在OLED中均实现了高效蓝色发光，首次证明了铈(III)配合物在OLED中具有100%的激子利用率。此外，相较于发光颜色相近的传统的磷光铱(III)配合物器件，基于铈(III)配合物器件的工作稳定性提高近70倍。据北京大学新闻网报道，考虑到铈(III)配合物还具有可调的发射光谱（d轨道受配体场影响显著）和较低的原料成本（铈在地壳中的含量是铱的近60000倍，高于铜），此类发光材料不仅有望解决实际应用中高效蓝光OLED存在的难题，同时还有潜力成为新一代发光材料应用于OLED全色显示和照明。这项工作对于实现我国稀土资源高价值利用，发展具有自主知识产权的OLED发光材料具有重大意义。
【关键词】北大团队，蓝光OLED，新材料
【摘要】 10月26日，集微网讯，10月20日，由北京中科富海低温科技有限公司、宁夏深燃众源天然气有限公司共同开发的“BOG提氦装置示范项目”在宁夏盐池县通过技术成果鉴定。据中国新闻网报道，该项目在国内首次实现BOG制取液氦产品的示范运行，填补了国内空白。此外，据盐池县相关负责人透露，此项目LNG-BOG低温提氦装备在宁夏盐池商业化成功示范运营，不但实现了大型低温装备全国产化，打破国外技术壁垒；同时在保障现有LNG工厂安全稳定生产基础上，降低运行成本、实现经济性突破，深受LNG工厂业主认可，对于大鄂尔多斯地区其他LNG工厂复制BOG提氦项目提供了重要借鉴。据了解，氦气因具有低密度、低沸点、导热性好、化学性质稳定等其独特的物理化学特性，广泛应用于航空航天、大科学工程、医用核磁共振、半导体/光纤等高端装备制造领域。
【关键词】BOG提氦装置，国产设备，技术鉴定
【摘要】 10月26日，集微网讯，近日，中国科学技术大学俞书宏院士团队发展了一种胶体化学合成法，成功制备了一种新型四元硫化物单晶纳米带光催化剂，并表现出优异的光催化产氢性能。据安徽日报报道，俞书宏团队在研究中发现，纳米晶的形貌和表面晶面可以有效地增强和优化半导体材料的光催化性能，而且单晶结构的铜基多元硫化物更有利于电荷分离进而增强光催化性能。他们设计了一种简单的胶体化学合成法，成功制备了只暴露某个特殊晶面的单晶铜基多元硫化物纳米带。这种纳米带光催化剂性能优异，且具有很好的稳定性。这项研究利用表面活性剂辅助成功制备暴露特定晶面的纳米带，提出一种多元硫化物纳米光催化剂设计的新策略，有望拓展到其他多元硫族化合物纳米晶的合成并通过完善合成方法实现其形貌和表面的精细调控，预期在光电探测和光电催化等方面具有独特应用价值。
【关键词】中科大，光催化剂，光电探测
【摘要】 10月23日，SEMI大半导体网讯，Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司近日宣布量产业界首款基于低功耗 DDR5（LPDDR5）DRAM 的通用闪存存储（UFS）多芯片封装产品 uMCP5。美光 uMCP5 将高性能、高密度及低功耗的内存和存储集成在一个紧凑的封装中，使智能手机能够应对数据密集型 5G 工作负载，显著提升速度和功效。该款多芯片封装产品搭载美光 LPDDR5 内存、高可靠性 NAND 以及领先的 UFS3.1 控制器，实现了此前只在使用独立内存和存储芯片的昂贵旗舰手机上才有的高级功能。uMCP5 的出现使诸如图像识别、高级人工智能（AI）、多摄像头支持、增强现实（AR）和高分辨率显示等最新技术能在中高端手机上予以普及，从而惠及更多的消费者。
【关键词】美光，首次量产，多芯片封装产品
【摘要】 10月22日，电子产品世界讯，业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevic 近日宣布，正式推出全国产化24nm工艺节点的4Gb SPI NAND Flash产品——GD5F4GM5系列。该系列产品实现了从设计研发、生产制造到封装测试所有环节的纯国产化和自主化，并已成功量产，标志着国内SLC NAND Flash产品正式迈入24nm先进制程工艺时代。目前，GD5F4GM5系列代表了国产SPI NAND Flash工艺技术量产的最高水准。该产品采用串行SPI接口，引脚少、封装尺寸小，在集成了存储阵列和控制器的同时，还带有内部ECC纠错算法，擦写次数可达5万次，提高可靠性的同时延长产品使用寿命。该创新技术产品有助于进一步丰富兆易创新的存储类产品线，为客户提供更优化的大容量代码存储解决方案。
【关键词】兆易创新，国产化，存储产品
【摘要】 10月10日，贤集网讯，近日，中国科学技术大学季恒星教授与加州大学洛杉矶分校段镶锋教授联合在新型锂离子电池电极材料研究方面取得了重大突破：通过采用“界面工程”策略将黑磷和石墨通过共价键连接在一起，在稳定材料结构的同时提升了黑磷石墨复合材料内部对锂离子的传导能力。通过将轻薄的聚合物凝胶做成防尘外衣“穿”黑磷石墨复合材料的表面，使得锂离子可以顺利进入电极材料。结果表明，电极片充电9分钟即可恢复约80%的电量，2000次循环后认可保持90%的容量。该全新设计的黑磷复合材料使兼具高容量、快速充电且长寿命的锂离子电池成为可能。
【关键词】中科大，锂离子电池，新材料
【摘要】 9月23日，电子产品世界讯，长期以来，热电器件的研究聚焦在如器件能量转换效率的最大化，而功率密度一直被忽略。开发同时具有高转换效率和高功率密度，即：“双高”热电发电器件，已成为推进热电发电技术实用化的关键。最近，中国科学院上海硅酸盐研究所陈立东研究员、柏胜强正高级工程师团队与浙江大学朱铁军教授合作，提出了由“器件设计”指导“材料优化”的反向设计策略，利用“功率因子优先”和“热导率匹配”准则实现了器件的“双高”性能。基于该策略，通过有限仿真模拟提出了双高器件所需的n型和p型半赫斯勒材料最佳匹配的热导率和功率因子范围。根据这一结果，通过调节n型材料的载流子浓度，获得了最佳的功率因子以及与p型材料匹配的热导率。在未使用最高zT值热电材料的条件下，器件在温差为680K时最大转换效率达到10.5%，最大功率密度达到3.1Wcm-2，同时打破了单级热电器件转换效率与功率密度的记录。中国科学院上海硅酸盐所官方消息显示，反向设计策略改变了传统单一追求高zT值和高转换效率的热电材料和器件的研究思路，为可实用化高性能热电器件的设计研发提供了新途径，可推广应用于其他热电材料体系。
【关键词】热电器件，转换效率，重大突破
【摘要】 9月17日，贤集网讯，近日，济南量子技术研究院与中国科学技术大学合作，成功研制出国际首个集成化的多通道量子频率转换芯片。该芯片基于逆向质子交换的周期性极化铌酸锂波导（PPLN），实现了多通道光子非线性频率转换，且频率转换过程中保持光子的量子特性不变。该芯片由34通道波导及34通道的光纤阵列进行双端耦合封装而成，芯片设计用于1550nm波段单光子信号和1950nm波段泵浦光进行非线性和频。实验表明，各通道的1550nm信号光平均转化效率为60%，可媲美于商用单通道PPLN波导芯片。同时，研究团队利用该芯片研制了阵列式上转换单光子探测器，达到了各通道平均探测效率23.2%、平均暗计数557cps，及相邻通道间隔离度大于71dB的指标。该阵列式探测器在高速量子密钥分发、深空激光通信、单光子成像及激光雷达等领域具有广泛的应用前景。该成果由量子探测与波导器件实验室张强教授、谢秀平高工、郑名扬副研究员等人合作完成，论文发表在国际知名学术期刊《Physical Review Applied》上。
【关键词】济南，集成化，量子频率转换芯片
【摘要】 9月14日，电子产品世界讯，无论是数据中心、超级计算机还是笔记本电脑：芯片和其他半导体组件产生的大量热量是现代电子产品的最大问题之一。一方面，它限制了组件的性能和结构密度，另一方面，冷却过程本身也消耗了大量的能量，这些能量用于冷却风扇或水冷的泵。为了解决这个问题，科学家一直在研究提高热量从芯片传递到冷却剂效率的办法。如今，瑞士科研人员终于找到了更好的方法，发明出一种不需要外部冷却的芯片，它集成在半导体中的微管将冷却水直接带到晶体管周围，这不但极大的改善了芯片散热效果，而且还能节省能源，使未来的电子产品更环保。更棒的是，刊登在《自然》（Nature）上的论文称（论文见上图），这种集成式冷却的生产比以前的制程还更便宜。对该冷却系统的初步测试表明，它可以驱散每平方厘米1.7千瓦以上的热量，每平方厘米仅需0.57瓦的泵功率。这明显小于外部蚀刻冷却通道所需的功率。研究人员说：“观察到的冷却能力超过每平方厘米一千瓦，相当于效率比外部散热手段提高了50倍。”如果将采用内部冷却系统的芯片用于大型数据中心，那么，冷却所需能耗在整个系统中所占的份额直接从30%降低至仅0.1%。对于便携设备来说，这种冷却技术还可以使电子设备进一步小型化，从而扩展摩尔定律。
【关键词】内置冷却系统，芯片，散热效率
【摘要】 9月8日，贤集网讯，近日，一个国际科研团队在英国布里斯托尔市成功建立一个新型量子通信试验网络，实现了8个节点的密钥集中生成和分发。这一新的网络架构价格便宜，具有可扩展性，有望促进量子互联网的发展。相关成果发表在《科学·进展》上。这是迄今为止最大的、没有可信节点的量子网络。网络中的量子加密由中央源产生纠缠光子对，然后通过光纤将它们分别分配给网络参与者。通过所谓的多路复用技术，研究人员不必再复制整个通信系统，而是将单个系统发出的光粒子分开，从而可以被多个用户有效地接收。由于使用不同的波长，通信伙伴可以将精力集中在相关的波长上，而忽略其余的光子。其新颖的网络拓扑结构可轻松扩展到许多用户，并具有流量管理功能。用于量子加密的新网络架构可能会成为未来量子互联网的重要组成部分。新技术还可以用于连接网络中的量子计算机，从而创建量子计算机的云。
【关键词】8节点，量子通信，试验网络
【摘要】 9月3日，集微网讯，2020年8月24-25日，国家自然科学基金委员会信息学部在长春组织专家对国家自然科学基金国家重大科研仪器设备研制专项“1.5米扫描干涉场曝光系统”进行了项目验收。专项研制的仪器设备包括一台1.5米扫描干涉场曝光系统及四台制作全息光栅所需的辅助工艺设备。该项目主要面向高能拍瓦激光输出技术、激光惯性约束核聚变研究及高端光刻机产业等战略高科技领域对大面积全息光栅的迫切需求，研制了1.5米扫描干涉场曝光系统，其目标是具备以步进扫描多线曝光方式制作500mm×1500mm全息光栅的能力。经过7年的攻关，项目组通过解决和突破长程重载工作台超精密定位、曝光干涉场超精密测量及相位锁定等十几项基础问题和关键技术，研制出了拥有制作最大面积650mm×1700mm单体无拼缝全息光栅能力的扫描干涉场曝光系统。该项目的顺利实施与验收，标志着我国具备了独立制作米级单体无拼缝全息光栅的能力，打破了由国外长期垄断的局面，对高能激光、可控核聚变、高端光刻等领域的技术与产业推进具有重大的战略意义。
【关键词】长春光机所，扫描干涉场，曝光系统
【摘要】 8月25日，贤集网讯，比亚迪半导体历时一年半，成功研发出国内首款集成触摸、RFID智能锁主控MCU——BF5823AM48。传统主流智能锁方案设计至少需要三颗核心芯片：1. MCU——基本控制和运算处理；2. RFID智能卡检测芯片——用户实现刷卡开锁功能；3. 触摸控制芯片——密码开锁功能。而比亚迪半导体的这款高集成、“三合一”MCU芯片，仅一颗便可集成并实现以上全部功能，无论在客户开发应用还是成本管控中都有更优的体验。相对于市场主流智能锁板方案，比亚迪半导体推出的这颗“三合一”MCU芯片有着更为显著的优势：整体方案性价比更高、更高的品质保证、技术支持更加强大。比亚迪半导体自2015年发布首款指纹识别芯片后，产品技术持续创新升级，现不仅拥有业内最全尺寸指纹传感器，同时也是业内首家整体嵌入式指纹方案供应商（锁控三合一、DSP+指纹算法+传感器等）。在MCU领域，比亚迪半导体也已拥有双核触控MCU芯片、EMC增强型触控MCU芯片，工业三合一MCU芯片，成为业内产品集成度最高、抗干扰性能最优、品质表现优异的代表。
【关键词】比亚迪半导体，触摸RFID，MCU芯片
【摘要】 8月18日，集微网讯，近日，中国科学院上海光学精密机械研究所中科院空间激光信息传输与探测技术重点实验室，在光纤激光器频率噪声抑制研究中取得进展，基于腔内光学负反馈效应成功将单频光纤激光器的低频频率噪声抑制至热噪声极限。中科院之声消息显示，该技术有望克服传统激光器频率稳定技术复杂昂贵的限制，有效推动低噪声单频光纤激光器从实验室环境走向激光雷达、光纤传感等工业应用领域。据介绍，研究团队通过对光纤激光器谐振腔等效热膨胀系数的控制，实现腔内热光效应的精细调控，在激光腔内部构建激光器频率的自反馈机制。通过理论推导和实验研究，实现20dB的光纤激光器低频频率噪声抑制和热噪声极限的光纤激光输出。此外，该研究还对自反馈机制下的光纤激光器强度噪声、环境鲁棒性等性能进行全面的研究测试，证实了该技术的先进性。该研究有望有效推动单频光纤激光器在激光雷达、光纤传感等相关工业领域的应用。目前，相关研究论文发表在《光学快报》。研究工作得到国家自然科学基金、中科院战略性先导科技专项（B类）、上海市扬帆人才计划等的支持。
【关键词】光纤激光器，噪声抑制研究，单频应用
【摘要】 8月7日，集微网讯，近日，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEE Transactions on Electron Devices上发表。据悉，郝跃院士团队提出了一种转印和自对准刻蚀方法，并首次实现了晶圆级的Si-GaN单片异质集成的共源共栅晶体管。这项技术和方法有望实现多种材料的大规模异质集成并基于此制造功能多样化的器件和电路，避免了昂贵且复杂的材料异质共生技术或晶圆键合工艺。通过转印和自对准刻蚀的新技术，使得硅器件与氮化镓器件的互连距离缩短至100μm以下，仅为传统键合线长度的5%。据估算，新型的共源共栅晶体管可以比传统键合方法减少98.59%的寄生电感。Si-GaN单片异质集成的共源共栅晶体管的阈值电压被调制为2.1V，实现了增强型器件。该器件栅压摆幅在栅漏电低于10-5mA/mm的范围内达到了±18V。经过大量器件测试和可靠性试验后，芯片之间的性能具有良好的一致性，这充分证明了转印和自对准刻蚀技术实现晶圆级单片集成共源共栅晶体管的巨大潜力和优势。
【关键词】晶圆级单片，异质集成，新突破
