【摘要】 6月28日，中国软件网讯，据外媒报道，苹果公司近日公布的另一项专利申请显示，他们正在研究一种新的方法，可以让iDevices甚至是Mac变得更加轻薄。苹果的工程团队已经开发出一种新的方法，可以用超薄的堆叠层来制作触摸屏。这种方法可以直接减少显示屏层的结构，同时也会带来一些其他的改良优势。苹果公司称，他们将这项新发明命名为“超薄触摸传感器”，研发技术与具有超薄堆叠的触摸屏有关。减小触摸屏的厚度不仅可以提供一个更薄的外形设备，还可以通过减小显示器覆盖玻璃的距离来改善显示器上的光学图像，此外也可以减轻设备的重量。
【关键词】苹果，触摸显示计划，轻薄化
【摘要】 6月17日，新浪科技讯，近日，欧菲光宣布，已成功研发史上最薄潜望式连续变焦模组，厚度仅5.9毫米。据悉，经过一年多的全力攻关，由欧菲光中央研究院精密摄像头技术分院独立研发、设计、制作的业界首款超薄潜望式连续变焦模组完成首样Demo演示， 正式面世。智能手机内部的集成度越来越高，但奈何各种元器件也随之增加，集成工艺难度加大。欧菲光中央研究院精密摄像头技术分院研发的高倍焦段间连续光学变焦超薄模组，模组尺寸突破6毫米，仅有5.9毫米，创造了目前行业模组厚度新低，在手机内部堆叠、布局不变的前提下，搭载此款模组的手机厚度将进一步降低。据介绍，在模组超薄化的同时，该款模组的镜头由“1GMO6P”3个群组构成，等效焦距达到85~170毫米，光圈3.1~5.1。欧菲光称，潜望式连续光学变焦模组的面世，不仅开创了国内乃至整个行业的先河，更是手机镜头行业又一次质的飞跃。
【关键词】潜望式模组，国产最薄，研发成功
【摘要】 6月4日，集微网讯，近日，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。中科院微电子研究所官方消息显示，该课题组联合北京航空航天大学赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司，基于8英寸CMOS先导工艺研发线，自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀以及金属互连等关键工艺模块，在国内首次实现了晶圆级亚百纳米STT-MRAM存储器件制备，为新型定制化STT-MRAM非挥发存储器的研制奠定了基础。据悉，针对STT-MRAM集成工艺中磁性薄膜沉积和刻蚀技术两大关键工艺模块，罗军课题组研发了原子层级磁性薄膜沉积工艺并创新性地提出基于SiNx的类侧墙转移隧道结刻蚀方法，有效抑制了刻蚀过程中反溅金属沉积导致的MgO侧壁短路问题。此外，课题组采用Ta/Ru/Ta的复合硬掩模结构，不仅有效改善了隧道结的刻蚀陡直度，还结合Trimming工艺将隧道结尺寸减小至100nm以下，一定程度上解决了漏磁场干扰问题。据了解，目前课题组已全线打通8英寸晶圆级STT-MRAM集成工艺，实现了晶圆级STT-MRAM的存储器件制备。
【关键词】晶圆级，亚百纳米，存储器件
【摘要】 6月4日，集微网讯，据科技日报报道，近日，厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室洪文晶教授研究团队，与英国兰卡斯特大学柯林·兰伯特院士团队合作，在室温下制备出了迄今为止世界上最薄的、厚度约为头发丝直径1/60000的单分子电子器件。据悉，厦门大学研究团队通过调节两片石墨烯电极之间的距离，连接了仅有单原子层厚度的平面有机分子，并精准表征了这一导电沟道长度仅有原子层厚度的超薄单分子电子器件的电子学性质。此外，他们还发现，虽然导电沟道长度远远小于传统的单分子电子器件（通常为二到五纳米）和硅基电子器件（通常为十到数十纳米），有机分子层的微小结构区别仍会对这类器件的电学性能产生数十倍的显著变化。洪文晶表示，这一仅有原子层厚度的超薄分子电子器件，展示了纳米尺度电子输运的独特量子隧穿特性，也充分体现了分子电子器件在未来半导体器件小型化领域的重要潜力。目前，该研究成果在线发表于国际期刊《科学·进展》上。
【关键词】厦门大学，世界最薄，电子器件
【摘要】 5月25日，中国软件网讯，近日，华为发布了CableFree技术，该新技术使得基站天线集成度、辐射效率、功率容量等关键能力获得重大突破，标志着5G时代天线发展迈入一个新时代。据悉，CableFree采用无线缆馈电设计、一体化集成移相器设计等革命性技术和工艺，使天线集成度跨越式提高，也使得天线性能得到多方面提升。CableFree技术应用于华为Munich Pro、Golden Mini及London Pro系列天线，以及32T32R Massive MIMO等产品，帮助客户更好更快地部署5G网络。
【关键词】华为，天线设计，重大突破
【摘要】 5月19日，SEMI网讯，随着5G时代的来临， Sub-6G和毫米波频段上的移动终端产品被广泛应用。如何满足5G毫米波的射频需求，并将更多元器件 “塞”进体积微小的射频前端模组是未来技术的关键点。?作为全球领先的半导体微系统集成和封装测试服务提供商，长电科技选择直面挑战，攻克技术难题，成功于2020年4月通过全球行业领先客户的认证，实现双面封装SiP产品的量产。在这项突破性技术工艺中，长电科技设计的双面封装SiP产品成功应用了双面高密度、高精度SMT工艺，将大量的主被动元器件贴装在基板两面，器件间的间距更是小到只有几十微米。?其次，双面封装SiP产品应用C-mold工艺，实现了芯片底部空间的完整填充，并有效减少了封装后的残留应力， 保证了封装的可靠性。Grinding工艺的采用，使封装厚度有了较大范围的选择，同步实现精准控制产品的厚度公差。此外，双面封装SiP产品应用Laser ablation工艺，去除多余塑封料，为后续锡球再成型工艺预留了空间，确保了更好的可焊性。
【关键词】长电科技，封装技术，SiP产品
【摘要】 5月14日，集微网讯，据韩媒Business Korea消息，当放入电路中的电子器件减小到微米级时，器件之间的距离在电路板上布置时变得更窄，并且很难相互连接和布置电极。为了解决这一问题，韩国国成均馆大学化学工程/聚合物工程系的金泰一教授和三星电子的研究人员合作开发出了一种“导电粘合剂”，可以将集成电路密度提高20倍以上。据悉，这种粘合剂用于在电路板上放置微型的电子设备。通过这项研究，研究人员已成功地将数千个比头发还细的30μm×60μm微型发光二极管（LED）组装在低温低压的柔性板上。此外，这项技术可以实现在比信用卡更小的基板（5cm x 5cm）上排列60万个相距100μm的微型LED。与目前市场上的其他粘合剂不同的是，这种导电粘合剂能够应用于可弯曲和展开的柔性基板上。这意味着这种粘合剂将为生物医学设备的进一步小型化铺平道路，例如必须灵活地附着在人体上的可穿戴设备或微型刺激器。
【关键词】集成电路，密度，新突破
【摘要】 5月7日，集微网讯，4月30日，中兴通讯联合Qualcomm Technologies在西安试验基地共同实现了700MHz商用产品新空口承载语音（5G VoNR）通话。本次通话基于3GPP Release 15规范，在700MHz频段（n28）上进行，采用中兴通讯的5G新空口基站以及搭载了Qualcomm? 骁龙? 5G调制解调器及射频系统的智能手机形态的5G测试终端，测试验证显示700MHz端到端VoNR语音接入功能完善、通话效果良好，为下一步700MHz大规模商用建设奠定了坚实的产业基础。为了全面支持中国700MHz商用建设，中兴通讯着力加强700MHz产品研发，第一时间推出端到端全系列的产品，同时联合Qualcomm Technologies全面加强700MHz终端研发和互通对接，确保第一时间满足700MHz产品商用需求，本次双方实现的业界首个基于商用版本的700MHz VoNR互通测试意味着700MHz规模商用的一个关键问题得到有效解决。
【关键词】中兴通讯，高通，VoNR通话
【摘要】 4月16日，SEMI大半导体网讯，CEVA发布业界首个高性能传感器中枢DSP架构SensPro?，设计用于处理情境感知设备中的多种传感器处理和融合工作负载。SensPro专用处理器可以满足业界对高效处理日益增多的各类传感器的需求，这些传感器是智能手机、机器人、汽车、AR / VR耳机、语音助手、智能家居设备，以及正在通过工业4.0等举措进行革新的新兴工业和医疗应用所需要的。这些传感器包括摄像头、雷达、LiDAR、飞行时间(ToF)、麦克风和惯性测量单元(IMU)，它们从图像、声音、RF和运动中生成多种类型和比特率的数据，可用于创建完整的3D情境感知设备。为了以最高的每瓦性能处理复杂的多传感器处理用例，SensPro的全新架构结合了高动态范围信号处理、点云创建(point cloud creation)和深度神经网络(DNN)训练的需求，支持高性能单精度和半精度浮点数学功能，并且为语音、图像、DNN推理处理和同时定位和映射(SLAM)提供大量8位和16位并行处理能力。SensPro集成了广泛使用的CEVA-BX标量DSP，它提供了从单传感器系统设计到多传感器的情境感知设计的无缝移植路径。
【关键词】CEVA，高性能传感器，中枢DSP架构
【摘要】 4月14日，集微网讯，今年3月，长电科技为北京斯凯瑞利提供芯片封测服务，助力北京斯凯瑞利推出中国国内首款用于汽车前装的ETC SoC芯片SKY6650。SKY6650是我国第一款为前装ETC行业所量身定做的，实现批量生产的全集成单芯片5.8GHz射频SoC国产芯片，在今年2月在第三方实验室通过车规级AEC-Q100 Grade 2认证。该芯片采用符合TS16949认证的TSMC车规级晶圆制造工艺产线和长电科技的车规级封装测试产线，运用了QFN-48L（6X6mm）封装，采用车载电子终端普遍要求的管脚侧面上锡工艺（Wettable Flank），提升了产品SMT上板安全性及板级可靠性。封装成品的三温测试也在长电科技一站式完成。如今，我国汽车保有量持续上升，ETC作为世界上先进的路桥收费方式，国家也出台了相应政策积极鼓励ETC的安装。
【关键词】前装车载，ETC芯片，长电科技
【摘要】 4月10日，电子产品世界讯，近日，达摩院宣布已经自主研发出用于车载摄像头的ISP处理器，保障自动驾驶车辆在夜间拥有更好的“视力”，“看”得更清晰，从而大幅提升自动驾驶安全性, 而背后技术则是达摩研发的3D降噪和图像增强算法。目前，该处理器已经用于自动驾驶物流车，路测性能达到业界领先水平。ISP (Image Signal Processor)，即图像信号处理器，是车载摄像头的重要构成组件，主要作用是对前端图像传感器CMOS输出的信号进行运算处理。依赖于ISP处理器，车辆才能借助摄像头“看”到现场细节。通俗来说，ISP处理器帮助车载摄像头“看”清楚周围环境，从而指导车辆做出下一步决策。达摩院介绍，自研ISP处理器使得车载摄像头在白天和夜间的图像识别能力大幅提升。根据达摩院自动驾驶实验室的路测结果显示，使用达摩院ISP处理器，车载摄像头在夜间这个最富有挑战的场景下，图像物体检测识别能力比业内主流处理器有10%以上的大幅度提升，原本模糊不清的标注物也得以清晰识别。
【关键词】阿里达摩院，ISP处理器，夜间识别
【摘要】 4月2日，集微网讯，据韩媒Business Korea报道，一组韩国研究人员已经开发出人工智能(AI)半导体的核心部分，可为新计算机节省10倍的功率。据悉，韩国科学技术研究院(KIST)日前宣布，由宋京密博士、朱贤洙博士、张俊妍主任和IBM公司的吴圣勋博士领导的一个联合研究小组，在其下一代半导体研究所开发了世界上第一个使用skyrmion的神经形态计算机的核心部件。研究人员预测，如果该部件被制造得更小，并且其中的几个相互连接，它将推动人工智能(AI) CPU的发展。该团队使用这种人工突触材料进行了一项改进的国家标准与技术研究所(MNIST)识别测试，发现仅通过15,000次学习就获得了90%的高识别率，而其它人工突触材料需要数十万次的迭代学习才能达到90%的识别率。这意味着该团队开发的技术只需要不到10%的功率。宋博士解释说道，“这种成分与人脑极为相似，该组件通过电控制的skyrmion的数量来控制突触的重量，从而通过神经递质的数量来调节突触。”据了解，这项研究的结果发表在3月16日的全球杂志《自然电子》网络版上。
【关键词】韩国，AI半导体，突触组件
【摘要】 3月17日，集微网讯，近日，在中国科学技术大学俞书宏院士课题组参与合作下，新型手性无机纳米材料合成研究取得重要进展，一类新型手性无机纳米材料被成功设计合成。该成果已在《自然·纳米技术》发表。据悉，手性材料在偏振相关光子学和光电子学应用等领域的发展具有重要意义。目前，传统手性纳米材料在环境稳定性和导电性方面通常存在局限性，限制了其实际应用。中科大俞书宏院士课题组与国家纳米科学中心唐智勇研究员课题组、多伦多大学Edward Sargent教授课题组开展合作。研究人员提出“双缓冲层设计”合成策略，解决传统半导体材料与磁性材料间的晶格和化学失配问题，实现了磁性材料在不同半导体特定位置的选择性生长。值得一提的是，这种新型磁光半导体纳米材料的成功开发使得在室温下的各向异性铁磁性以及自旋操控成为可能，从而有望为自旋电子学和量子计算技术提供新的材料平台。
【关键词】量子计算，中科大，无机纳米材料
【摘要】 3月10日，集微网讯，据中国科学技术大学报道，中国科学技术大学郭光灿院士团队在量子存储领域取得重要进展。该团队李传锋、周宗权等人采用飞秒激光微加工技术制备出高保真度的可集成固态量子存储器，并基于自主研制设备首次实现稀土离子的电子自旋及核自旋相干寿命的全面提升。相关成果分别于2月20号和28号发表在著名物理学期刊Optica和Physical Review Applied上。为解决扩展性问题，研究组采用飞秒激光微加工技术首次在掺铕硅酸钇晶体中刻蚀出光波导，研制出可集成的固态量子存储器。波导区域距晶体表面150微米，波导宽度为20微米，可以与其他微纳电子学及微纳光学器件进行集成加工。由于波导区域内的光场功率密度高，实验所需的控制激光功率相比块状晶体所需功率下降了约30倍。实验中演示了原子频率梳（AFC）以及低噪声回波恢复（ROSE）两种光量子存储方案，并通过参考光信号与存储器读出光信号之间的干涉，测定了存储保真度。两种方案对应的保真度分别超过99%和97%，表明这种可集成量子存储器具有很高的可靠性。
【关键词】量子存储，中科大，新进展
【摘要】 3月9日，集微网讯，据韩媒Business Korea报道，韩国科学技术研究院(KIST)于日前宣布，一个KIST团队已经成功开发出一种新的化合物，可以取代氮化镓来生产蓝光LED。此前日本开发出一种制造高质量氮化镓的方法，用于生产蓝光LED，这种蓝光LED被用作智能手机、显示器、电子产品和高频设备的核心设备。据悉，韩国研究小组使用一种由铜和碘合成的碘化铜化合物(CuI)来生产蓝光LED。研究人员表示，“我们发现，碘化铜半导体可以发出蓝光，其亮度是氮化镓半导体的10倍以上，此外在光电效率和长期设备稳定性方面的表现也很出色。”研究人员研发的碘化铜半导体可以在低成本、缺陷小的硅衬底上生长，因此具有使用目前市面上可买到的大尺寸硅衬底(300毫米)的优势。此外，碘化铜薄膜的生长温度与硅基工艺中使用的温度（低于300摄氏度）相似，因此可以在不牺牲性能的情况下沉积碘化铜薄膜。因此，它可以应用于低成本、简单的硅半导体工艺。这些研究成果的意义在于，通过在硅衬底上生长高质量的铜卤素单晶碘化铜，实现高效的蓝光发射，在世界范围内首次展示了一种新的使用铜卤素化合物的半导体材料新技术。
【关键词】韩国，蓝光LED，新型材料
【摘要】 3月2日，集微网讯，据锐石创芯官方发布，由于5G系统复杂度的提升,5G通信终端中射频前端器件的成本比重进一步提高，器件的复杂度也显著提升。为了应对手机厂商对5G射频前端成本及布板面积的挑战，锐石创芯推出了业内首创能同时支持5G SA和NSA ENDC技术的射频前端产品RR88643-91。据介绍，RR88643-91是业内首颗兼容5G N41及支持N41/B41 PC2的射频前端模块。也同样支持NSA模式下的LB+n41和MB+n41等ENDC模式。尤其针对中移动Band3+n41 EN-DC组合，RR88643-91进行了深入的设计优化以解决双PA工作模式下的交调信号（IMD4、IMD6）带来的B3 RX de-sense问题。此次锐石创芯推出的RR88643-91在NSA模式下能省去一颗外置N41频段发射模块的需求，在节省面积和成本方面优势凸显。且在同等功率下，RR88643-91效率优势明显，有利于降低5G应用的功耗。
【关键词】锐石创芯，射频前端产品，业内首创
【摘要】 2月26日，中国软件网讯，高通在总部圣地亚哥召开发布会，展示第三代5G基带芯片X60。高通X60支持目前全部主要频段及其组合的5G基带及射频系统，支持SA、NSA双组网，支持毫米波、Sub-6GHz(FDD/TDD)、5D TDD和FDD载波聚合和动态频谱共享。高通总裁安蒙在发布会上表示，本季度高通会向合作伙伴提供X60基带，X60终端预计在明年年初上市。由此看来，X60很有可能将会搭配骁龙875成为明年安卓阵营的旗舰组合。高通介绍，X60基于5nm工艺制程打造，这是全球首个5nm制程基带芯片，功耗进一步降低、整体性能更强。据悉，X60下载速度可达7.5Gbps，上行速度可达3Gbps;支持Voice-Over-NR 5G语音技术。
【关键词】支持全频段，高通，5G基带芯片
【摘要】 2月21日，贤集网讯，CEA-Leti和CEA-IRIG合作开发了一个量子集成电路，据悉，这是世界上首个在CMOS芯片上带有量子点的量子集成电路。该芯片采用 28nm FD-SOI 制程工艺，集成了模拟和数字功能（包括多路复用器，缓冲器，信号放大器，振荡器，数模转换器），这些都在 CEA-Leti 量子计划中设想的未来量子加速器的仪器要求之中。据了解，除了需要在硅上获得可靠的、纠缠的和相干的量子位之外，这项工作的目的还在于生产能够路由众多信号以寻址数百个量子位矩阵的电子设备。这些结果也证明了 CEA-Leti 的 FD-SOI 技术中的低温仪器方面的专有技术价值，这些技术还可以用于其他非硅量子设备，例如超导量子位。首次集成以及最近发布的基于硅的量子位的性能，证实了硅依然是一个有力的行业竞争者，因为它可实现快速操作，同时保持竞争保真度，同时在可扩展的占位面积上具有受控的制程可重复性。
【关键词】CMOS芯片，量子集成电路，问世
【摘要】 2月17日，贤集网讯，14日，博通率先发布了全球首款面向智能手机移动平台的Wi-Fi 6E芯片组“BCM4389”，完美实现新规范的同时，各方面的指标都碾压前代，号称吞吐带宽提升5倍、延迟降低2倍、功耗降低5倍、蓝牙配对加快2倍，蓝牙音频也完全流畅。，预计下一代高端智能手机将搭载。据介绍，博通的BCM4375芯片支持2x2 2.4 GHz和2x2 5 GHz，工艺为28nm，而新款的BCM4389则增加了2x2 6 GHz的支持。BCM4389是博通在BCM4375的基础上开发的，除了支持6GHz三频段同时运行和160MHz通道之外，BCM4389还带来了额外的能效提升，这得益于其16nm工艺技术和架构的改进。除此之外，蓝牙5.0功能也得到了MIMO支持。CM4389则采用新的16nm工艺，支持两个Wi-Fi 6E数据流，三频段并发，支持80/160MHz通道，数据传输率达到2.4Gbps(PHY物理层速率2.63Gbps)，手机上的实际速度也可达2.1Gbps，延迟能稳定在2ms左右，而电流仅为0.5mA。
【关键词】博通，首发芯片，速度翻番
【摘要】 2月14日，集微网讯，爱立信官方宣布，其工程师团队实现了5G毫米波下4.3Gbps的传输速度，这是迄今为止最快的5G速度。爱立信使用基于高通Snapdragon X55 5G Modem-RF系统的5G智能手机连接至爱立信无线系统Street Macro 6701，以4.3Gbps的下行速度传输数据。商业解决方案，包括网络和终端支持，将在2020年向5G用户提供。这一突破对于增强移动宽带应用来说是个好消息，比如多人游戏、增强现实游戏和复杂视频流。更高的下行速度也将扩大通信服务提供商为消费者提供固定无线接入的机会，蜂窝mmWave的连接速度将比光纤快四倍。
【关键词】5G速率，爱立信，刷新记录
