台工研院发表最新MRAM技术,优于台积电、三星(2019-12-10)
【摘要】 12月10日,芯科技讯,台工业技术研究院10日于美国举办的国际电子元件会议(IEDM)中发表铁电存储器(FRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)等6篇技术论文。其中,从研究成果显示,工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。台工研院电光系统所所长吴志毅表示,5G、AI时代来临,摩尔定律一再向下微缩,半导体走向异质整合,而能突破既有运算限制的下一代存储器将扮演更重要角色,工研院新兴的FRAM、MRAM读写速度...
【关键词】MRAM技术,存储器,工研院